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手机版
资料编号:8479
资料名称:
DS1220AB-150-IND
文件大小: 136.85K
说明
:
介绍
:
16k Nonvolatile SRAM
: 点此下载
1
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3
4
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7
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1220ab/ad
4 的 9
(v
CC
=5.0v
±
5% 为 ds1220ab)
(t
一个
:
看 便条 10)
交流 电的 ch
AR
ACTERISTICS
(v
CC
=5.0v
±
10% 为 ds1220ad)
ds1220ab-100
ds1220ad-100
ds1220ab-120
ds1220ad-120
参数
标识
最小值
最大值
最小值
最大值
单位
注释
读 循环 时间
t
RC
100
120
ns
进入 时间
t
ACC
100
120
ns
OE
至 输出 有效的
t
OE
50
60
ns
CE
至 输出 有效的
t
CO
100
120
ns
OE
或者
CE
至 输出 起作用的
t
COE
5
5ns5
输出 高 z 从
Deselection
t
OD
35
35
ns
5
输出 支撑 从 地址
改变
t
OH
5
5ns
写 循环 时间
t
WC
100
120
ns
写 脉冲波 宽度
t
WP
75
90
ns
3
地址 建制 时间
t
AW
00
ns
写 恢复 时间
t
WR1
t
WR2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
输出 高 从
我们
t
ODW
35
35
ns
5
输出 起作用的 从
我们
t
OEW
5
5ns4
数据 建制 时间
t
DS
40
50
ns
4
数据 支撑 时间
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
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