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资料编号:8479
 
资料名称:DS1220AB-150-IND
 
文件大小: 136.85K
   
说明
 
介绍:
16k Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1220ab/ad
4 的 9
(v
CC
=5.0v
±
5% 为 ds1220ab)
(t
一个
:
看 便条 10)
交流 电的 chARACTERISTICS
(v
CC
=5.0v
±
10% 为 ds1220ad)
ds1220ab-100
ds1220ad-100
ds1220ab-120
ds1220ad-120
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值
单位 注释
读 循环 时间 t
RC
100 120 ns
进入 时间 t
ACC
100 120 ns
OE
至 输出 有效的
t
OE
50
60 ns
CE
至 输出 有效的
t
CO
100
120 ns
OE
或者
CE 至 输出 起作用的
t
COE
5
5ns5
输出 高 z 从
Deselection
t
OD
35
35 ns 5
输出 支撑 从 地址
改变
t
OH
5
5ns
写 循环 时间 t
WC
100 120 ns
写 脉冲波 宽度 t
WP
75 90 ns 3
地址 建制 时间 t
AW
00ns
写 恢复 时间 t
WR1
t
WR2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
输出 高 从 我们
t
ODW
35
35 ns 5
输出 起作用的 从 我们
t
OEW
5
5ns4
数据 建制 时间 t
DS
40 50 ns 4
数据 支撑 时间 t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
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