标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流
E=V
IL
,g=v
IL
,
I
输出
= 0ma, f = 10MHz
70 毫安
E=V
IL
,g=v
IL
,
I
输出
= 0ma, f = 5MHz
50 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) TTL E = V
IH
1mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) CMOS E > V
CC
– 0.2v 100
µ
一个
I
PP
程序 电流 V
PP
=V
CC
10
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
(2)
输入 高 电压 2 V
CC
+1 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 TTL I
OH
= –400
µ
一个 2.4 V
输出 高 电压 CMOS I
OH
= –100
µ
AV
CC
– 0.7v V
注释:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
pp.
2. 最大 直流 电压 在 输出 是 V
CC
+0.5v.
表格 7. 读 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
标识 Alt 参数
测试
情况
M27C4002
单位
-45
(3)
-60
(3)
-80 -90
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至
输出 有效的
E=V
IL
,
G=V
IL
45 60 80 90 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低
至 输出 有效的
G=V
IL
45 60 80 90 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能
低 至 输出 有效的
E=V
IL
25 30 40 40 ns
t
EHQZ
(2)
t
DF
碎片 使能 高
至 输出 hi-z
G=V
IL
0 30 0 30 0 30 0 30 ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能
高 至 输出 hi-z
E=V
IL
0 30 0 30 0 30 0 30 ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变
至 输出 转变
E=V
IL
,
G=V
IL
0000ns
注释:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
pp.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. 在 情况 的 70ns 速 看 高 速 交流 度量 情况.
表格 8一个. 读 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
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M27C4002