M27C801
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图示 5. 读 模式 交流 波形
AI01583B
tAXQX
tEHQZ
a0-a19
E
G
q0-q7
tAVQV
tGHQZ
tGLQV
tELQV
有效的
hi-z
有效的
表格 8b. 读 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c; v
CC
= 5v ± 10%)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
标识 Alt 参数 测试 情况
M27C801
单位-80 -100/-120/-150
最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至 输出 有效的
E
= v
IL
, gv
PP
= v
IL
80 100 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低 至 输出 有效的
G
V
PP
= v
IL
80 100 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至 输出
有效的
E
= v
IL
40 50 ns
t
EHQZ
(2)
t
DF
碎片 使能 高 至 输出 hi-z
G
V
PP
= v
IL
0 35 0 40 ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能 高 至 输出
hi-z
E
= v
IL
0 35 0 40 ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变 至 输出
转变
E
= v
IL
, gv
PP
= v
IL
00ns
系统 仔细考虑
这 电源 切换 特性 的 先进的
cmos eproms 需要 细致的 解耦 的 这
设备. 这 供应 电流, i
CC
, 有 三 seg-
ments 那 是 的 interest 至 这 系统 设计者:
这 备用物品 电流 水平的, 这 起作用的 电流 水平的,
和 瞬时 电流 顶峰 那 是 生产 用
这 下落 和 rising edges 的 e
. 这 巨大 的
这 瞬时 电流 顶峰 是 依赖 在 这
电容的 和 inductive 加载 的 这 设备 在
这 输出. 这 有关联的 瞬时 电压 顶峰
能 是 suppressed 用 complying 和 这 二 线条
输出 控制 和 用 合适的 选择 解耦
电容. 它 是 推荐 那 一个 0.1µf ceram-
ic 电容 是 使用 在 每 设备 在 v
CC
和 v
SS
. 这个 应当 是 一个 高 频率 capaci-
tor 的 低 固有的 电感 和 应当 是
放置 作 关闭 至 这 设备 作 可能. 在 addi-
tion, 一个 4.7µf 大(量) electrolytic 电容 应当 是
使用 在 v
CC
和 v
SS
为 每 第八 devic-
es. 这 大(量) 电容 应当 是 located near 这
电源 供应 连接 要点. 这 目的 的 这
大(量) 电容 是 至 克服 这 电压 漏出
造成 用 这 inductive 影响 的 pcb 查出.
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