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资料编号:8493
 
资料名称:DS1230AB-100
 
文件大小: 213.86K
   
说明
 
介绍:
256k Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1230y/ab
4 的 12
电容
(t
一个
=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
输入 电容 C
510pF
输入/输出 电容 C
i/o
510pF
交流 电的
(v
CC
=5V
±
=
5% 为 ds1230ab)
特性
(t
一个
: 看 便条 10) (v
CC
=5V
±
=
10% 为 ds1230y)
ds1230ab-70
ds1230y-70
ds1230ab-85
ds1230y-85
ds1230ab-100
ds1230y-100
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 注释
读 循环
时间
t
RC
70 85 100 ns
进入 时间 t
ACC
70 85 100 ns
OE
至 输出
有效的
t
OE
35 45 50 ns
CE
至 输出
有效的
t
CO
70 85 100 ns
OE
或者
CE
输出 起作用的
t
COE
555 ns5
输出 高 z
Deselection
t
OD
25 30 35 ns 5
输出 支撑
从 地址
改变
t
OH
555 ns
写 循环
时间
t
WC
70 85 100 ns
写 脉冲波
宽度
t
WP
55 65 75 ns 3
地址 建制
时间
t
AW
000 ns
写 恢复
时间
t
WR1
t
WR2
5
15
5
15
5
15
ns 12
13
输出 高 z
我们
t
ODW
25 30 35 ns 5
输出 起作用的
我们
t
OEW
555 ns5
数据 建制
时间
t
DS
30 35 40 ns 4
数据 支撑
时间
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
0
10
ns 12
13
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