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资料编号:85151
 
资料名称:BC856BLT1
 
文件大小: 211.86K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc856alt1 序列
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4
BC856
图示 7. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 8. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
−0.8
−1.0
−0.6
−0.2
−0.4
1.0
2.0
−0.1 −1.0
−10 −200
−0.2
0.2
0.5
−0.2 −1.0
−10 −200
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
@ v
CE
= −5.0 v
图示 9. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 10. base−emitter 温度 系数
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
−1.0
−1.2
−1.6
−2.0
−0.02 −1.0
−10
0
−20
−0.1
−0.4
−0.8
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
VB
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
−0.2 −2.0
−10 −200
−1.0
T
J
= 25
°
C
I
C
=
−10 毫安
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
v, 电压 (伏特)
V
CE
= −5.0 v
T
一个
= 25
°
C
0
−0.5 −2.0 −5.0
−20 −50 −100
−0.05 −0.2 −0.5 −2.0 −5.0
−100 毫安
−20 毫安
−1.4
−1.8
−2.2
−2.6
−3.0
−0.5 −5.0 −20
−50 −100
−55
°
c 至 125
°
C
VB
为 v
−2.0
−5.0
−20
−50
−100
图示 11. 电容
V
R
, 反转 电压 (伏特)
40
图示 12. current−gain − 带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
−0.1 −0.2 −1.0 −50
2.0
−2.0 −10
−100
100
200
500
50
20
20
10
6.0
4.0
−1.0 −10
−100
V
CE
= −5.0 v
c, 电容 (pf)
f, current−gain − 带宽 产品
T
−0.5 −5.0 −20
T
J
= 25
°
C
C
ob
C
ib
8.0
−50 毫安
−200 毫安
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