MIC4416 Micrel
5-30 april 1998
应用 信息
这 mic4416/7 是 设计 至 提供 高 顶峰 电流 为
charging 和 discharging 电容的 负载. 这 1.2a 顶峰
值 是 一个 名义上的 值 决定 下面 明确的 condi-
tions. 这个 名义上的 值 是 使用 至 对比 它的 相关的 大小
至 其它 低-一侧 场效应晶体管 驱动器. 这 mic4416/7 是 不
设计 至 直接地 转变 1.2a 持续的 负载.
供应 绕过
电容 从 vs 至 地 是 推荐 至 控制
切换 和 供应 过往旅客. 加载 电流 和 供应
含铅的 长度 是 一些 的 这 factors 那 影响 电容
大小 (所需的)东西.
一个 4.7
µ
f 或者 10
µ
f tantalum 电容 是 合适的 为 许多
产品. 低-等效串联电阻 (相等的 序列 阻抗) metal-
ized 影片 电容 将 也 是 合适的. 一个 额外的 0.1
µ
F
陶瓷的 电容 是 建议的 在 并行的 和 这 大
电容 至 控制 高-频率 过往旅客.
这 低 等效串联电阻 (相等的 序列 阻抗) 的 tantalum
电容 制造 它们 特别 有效的, 但是 也 制造
它们 敏感 至 uncontrolled inrush 电流 从 低
阻抗 电压 来源 (此类 作 nicd batteries 或者 自动-
matic 测试 设备). 避免 instantaneously 应用 volt-
age, 有能力 的 非常 高 顶峰 电流, 直接地 至 或者 near
tantalum 电容 没有 额外的 电流 限制的. 也不-
mal 电源 供应 转变-在 (慢 上升 时间) 或者 打印 电路
查出 阻抗 是 通常地 足够的 为 正常的 产品
用法.
电路 布局
避免 长 电源 供应 和 地面 查出. 它们 展览
电感 那 能 导致 电压 过往旅客 (inductive kick).
甚至 和 resistive 负载, inductive 过往旅客 能 sometimes
超过 这 比率 的 这 场效应晶体管 和 这 驱动器.
当 一个 加载 是 切换 止, 供应 含铅的 电感 forces
电流 至 continue flowing—resulting 在 一个 积极的 电压
尖刺. 电感 在 这 地面 (返回) 含铅的 至 这 供应
有 类似的 影响, 除了 这 电压 尖刺 是 负的.
切换 transitions 短促地 绘制 电流 从 vs 至
地. 这个 结合 和 供应 含铅的 电感 至 create
电压 过往旅客 在 转变 在 和 turnoff.
过往旅客 能 也 结果 在 slower apparent 上升 或者 下降 时间
当 驱动器’s 地面 shifts 和 遵守 至 这 控制 输入.
降低 这 长度 的 供应 和 地面 查出 或者 使用
地面 和 电源 平面 当 可能. 绕过 电容
应当 是 放置 作 关闭 作 实际的 至 这 驱动器.
场效应晶体管 选择
标准 场效应晶体管
一个 标准 n-频道 电源 场效应晶体管 是 全部地 增强 和
一个 门-至-源 电压 的 大概 10v 和 有 一个
绝对 最大 门-至-源 电压 的
±
20v.
这 mic4416/7’s 在-状态 输出 是 大概 equal 至
这 供应 电压. 这 最低 usable 电压 取决于 在之上
这 行为 的 这 场效应晶体管.
VS
CTL
G
地
MIC4416
4.7µf
+8v 至 +18v
1
32
4
加载
逻辑
输入
* 门 增强 电压
V
GS
*
+15V
标准
场效应晶体管
IRFZ24
†
†
国际的 整流器
100m
Ω
, 60v 场效应晶体管
0.1µf
尝试 一个
15
Ω
, 15w
或者
1k, 1/4w
电阻
图示 1. 使用 一个 标准 场效应晶体管
逻辑-水平的 场效应晶体管
逻辑-水平的 n-频道 电源 mosfets 是 全部地 增强
和 一个 门-至-源 电压 的 大概 5v 和 有
一个 绝对 最大 门-至-源 电压 的
±
10v. 它们
是 较少 一般 和 一般地 更多 expensive.
这 mic4416/7 能 驱动 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 如果 这 供应
电压, 包含 过往旅客, 做 不 超过 这 最大
场效应晶体管 门-至-源 比率 (10v).
VS
CTL
G
地
MIC4416
+4.5v 至 10v*
1
32
4
加载
逻辑
输入
* 门 增强 电压
(必须 不 超过 10v)
V
GS
*
+5V
逻辑-水平的
场效应晶体管
IRLZ44
†
†
国际的 整流器
28m
Ω
, 60v 场效应晶体管
4.7µf
0.1µf
尝试 一个
3
Ω
, 10w
或者
100
Ω
, 1/4w
电阻
图示 2. 使用 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管
在 低 电压, 这 mic4416/7’s 内部的 p- 和 n-频道
场效应晶体管’s 在-阻抗 将 增加 和 慢 这 输出
上升 时间. 谈及 至 “typical characteristics” graphs.
inductive 负载
在
止
VS
CTL
G
地
MIC4416
V
供应
1
32
4
肖特基
二极管
V
切换
4.7µf
0.1µf
图示 3. 切换 一个 inductive 加载
切换 止 一个 inductive 加载 在 一个 低-一侧 应用 forces
这 场效应晶体管 流 高等级的 比 这 供应 电压 (作 这
inductor resists 改变 至 电流). 至 阻止 exceeding
这 场效应晶体管’s 流-至-门 和 流-至-源 比率, 一个
肖特基 二极管 应当 是 连接 横过 这 inductive
加载.
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