mic5016/5017 Micrel
5-150 october 1998
产品 信息
函数的 描述
这 mic5016 是 functionally 兼容 和 这 mic5012,
和 这 mic5017 是 一个 反相的 配置 的 这 mic5016.
这 内部的 功能 的 这些 设备 是 控制 通过 一个
逻辑 块 (谈及 至 块 图解) 连接 至 这 控制
输入 (管脚 14). 当 这 输入 是 止 (低 为 这 mic5016, 和
高 为 这 mic5017), 所有 功能 是 转变 止, 和 这
门 的 这 外部 电源 场效应晶体管 是 使保持 低 通过 二 n-
频道 switches. 这个 结果 在 一个 非常 低 备用物品 电流;
15
µ
一个 典型, 这个 是 需要 至 电源 一个 内部的 bandgap.
当 这 输入 是 驱动 至 这 “on” 状态, 这 n-频道
switches 是 转变 止, 这 承担 打气 是 转变 在, 和 这
p-频道 转变 在 这 承担 打气 和 这 门
转变 在, 准许 这 门 的 这 电源 场效应晶体管 至 是 charged.
这 运算 放大 和 内部的 齐纳 表格 一个 起作用的 调整器 这个
shuts 止 这 承担 打气 当 这 门 电压 是 高
足够的. 这个 是 一个 特性 不 建立 在 这 mic5012.
这 承担 打气 包含 一个 100khz 振荡器 和 在-
碎片 打气 电容 有能力 的 charging 一个 1,000pf 加载 在
90
µ
s 典型. 在 增加 至 供应 起作用的 规章制度, 这
内部的 15v 齐纳 是 包含 至 阻止 exceeding 这 v
GS
比率 的 这 电源 场效应晶体管 在 高 供应 电压.
这 mic5016/17 设备 有 被 改进 为 更好
强壮 和 durability. 所有 管脚 能 承受 正在
牵引的 20 v 在下 地面 没有 sustaining 损坏, 和 这
供应 管脚 能 承受 一个 超（电）压 瞬时 的 60v 为
1s. 一个 超（电）压 关闭 有 也 被 包含, 这个
转变 止 这 设备 当 这 供应 reaches 35v.
构建 hints
高 电流 脉冲波 电路 要求 设备 和 组装
技巧 那 是 更多 stringent 比 正常的, 低 电流
lab practices. 这 下列的 是 这 来源 的 pitfalls 大多数
常常 encountered 在 prototyping:
供应
: 许多 bench
电源 供应 有 poor 瞬时 回馈. 电路 那
是 正在 脉冲波 测试, 或者 那些 那 运作 用 脉冲波-宽度
调制 将 生产 strange 结果 当 使用 和 一个
供应 那 有 poor 波纹 拒绝, 或者 一个 peaked 瞬时
回馈. 总是 监控 这 电源 供应 电压 那
呈现 在 这 流 的 一个 高 一侧 驱动器 (或者 这 供应 一侧
的 这 加载 为 一个 低 一侧 驱动器) 和 一个 oscilloscope. 它 是 不
uncommon 至 find bench 电源 供应 在 这 1kw 类 那
越过 或者 undershoot 用 作 更 作 50% 当 脉冲波
承载. 不 仅有的 将 这 加载 电流 和 电压 measure-
ments 是 影响, 但是 它 是 可能 至 超载 各种各样的
组件, 特别 electrolytic 电容, 和 possibly
catastrophic 结果. 一个 10
µ
f 供应 绕过 电容
在 这
碎片 是
推荐.
residual 抵制
: 抵制 在
电路 连接 将 也 导致 confusing 结果. 为
例子, 一个 电路 将 雇用 一个 50m
Ω
电源 场效应晶体管 为
低 电压 漏出, 但是 除非 细致的 构建 技巧
是 使用, 一个 可以 容易地 增加 50 至 100m
Ω
阻抗. 做
不 使用 一个 插座 为 这 场效应晶体管. 如果 这 场效应晶体管 是 一个 至-
220 类型 包装, 制造 高 电流 连接 至 这
流 tab.线路
losses 有 一个 profound 效应 在 高-电流 电路. 一个
floating milliohmeter 能 identify 连接 那 是 con-
tributing excess 漏出 下面 加载.
低 电压 测试
作 这 mic5016/5017 有 相当地
高 输出 阻抗, 一个 正常的 oscilloscope 探查 将
加载 这 设备. 这个 是 特别 pronounced 在 低 电压
运作. 它 是 推荐 那 一个 场效应晶体管 探查 或者 统一体 增益
缓存区 是 使用 为 所有 测试.
电路 topologies
这 mic5016 和 mic5017 是 好 suited 为 使用 和
标准 电源 mosfets 在 两个都 低 和 高 一侧 驱动器
配置. 在 增加, 这 lowered 供应 电压 re-
quirements 的 这些 设备 制造 它们 完美的 为 使用 和
逻辑 水平的 fets 在 高 一侧 产品 和 一个 供应
电压 的 3v 至 4v. (如果 高等级的 供应 电压 [>4v] 是 使用
和 逻辑 水平的 fets, 一个 外部 齐纳 clamp 必须 是
有提供的 至 确保 那 这 最大 v
GS
比率 的 这 逻辑
场效应晶体管 [10v] 是 不 超过). 在 增加, 一个 标准 igbt 能
是 驱动 使用 这些 设备.
选择 的 一个 topology 在 另一 是 通常地 为基础 在
速 vs. 安全. 这 fastest topology 是 这 低 一侧 驱动器,
不管怎样, 它 是 不 通常地 考虑 作 safe 作 高 一侧
驱动 作 它 是 easier 至 accidentally 短的 一个 加载 至 地面
比 至 v
cc.
这 slowest, 但是 safest topology 是 这 高 一侧
驱动器; 和 速 正在 inversely 均衡的 至 供应
电压. 它 是 这 preferred topology 为 大多数 军队 和
automotive 产品. 速 能 是 改进 考虑-
ably 用 bootstrapping 这 供应.
所有 topologies 执行 使用 这些 设备 是 好
suited 至 驱动 inductive 负载, 作 也 这 门 或者 这
源 管脚 能 是 牵引的 20v 在下 地面 和 非 效应.
外部 clamp 二极管 是 unnecessary, 除了 为 这 情况
在 这个 一个 瞬时 将 超过 这 超（电）压 trip 要点.
高 一侧 驱动器
(图示 1) 这 高 一侧 topology 显示
here 是 一个 implementation 的 一个 “sleep-mode” 转变 为 一个
laptop 或者 notebook 计算机 这个 使用 一个 逻辑 水平的 场效应晶体管. 一个
标准 电源 场效应晶体管 能 容易地 是 substituted 当 供应
电压 在之上 4v 是 必需的.
低 一侧 驱动器
(图示 2) 一个 关键 有利因素 的 这个 topology,
作 先前 提到, 是 速. 这 场效应晶体管 门 是
图示 2. 低 一侧 驱动器
加载
1/2 mic5016
止
在
+3v 至 +30v
GateGnd
源
输入
V+
10µF
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