m48t08, m48t08y, m48t18
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运作 模式
作图示 6., 页 5显示, 这 静态的 记忆 ar-
ray 和 这 quartz-控制 时钟 振荡器 的 这
m48t08/18/08y 是 整体的 在 一个 硅 碎片.
这 二 电路 是 interconnected 在 这 upper
第八 记忆 locations 至 提供 用户 accessible
bytewide™ 时钟 信息 在 这 字节 和
地址 1ff8h-1fffh.
这 时钟 locations 包含 这 年, month, 日期,
日, 小时, 分钟, 和 第二 在 24 小时 bcd 为-
mat. 纠正 为 28, 29 (leap 年 - 有效的 直到
2100), 30, 和 31 日 months 是 制造 automat-
ically. 字节 1ff8h 是 这 时钟 控制 寄存器. 这个
字节 控制 用户 进入 至 这 时钟 信息
和 也 stores 这 时钟 校准 设置.
这 第八 时钟 字节 是 不 这 真实的 时钟
counters themselves; 它们 是 记忆 locations
consisting 的 biport™ 读/写 记忆
cells. 这 m48t08/18/08y 包含 一个 时钟 控制
电路 这个 updates 这 时钟 字节 和 电流
信息 once 每 第二. 这 信息 能
是 accessed 用 这 用户 在 这 一样 manner 作
任何 其它 location 在 这 静态的 记忆 排列.
这 m48t08/18/08y 也 有 它的 自己的 电源-失败
发现 电路. 这 控制 电路系统 constantly mon-
itors 这 单独的 5v 供应 为 一个 输出 的 容忍
情况. 当 v
CC
是 输出 的 容忍, 这 电路
写 保护 这 sram, 供应 一个 高 程度
的 数据 安全 在 这 midst 的 unpredictable sys-
tem 运作 brought 在 用 低 v
CC
. 作 v
CC
falls
在下 这 电池 后面的-向上 switchover 电压
(v
所以
), 这 控制 电路系统 connects 这 电池
这个 维持 数据 和 时钟 运作 直到 val-
id 电源 returns.
表格 2. 运行 模式
便条: x = v
IH
或者 v
IL
;
V
所以
= 电池 后面的-向上 switchover 电压.
1. 看表格 11., 页 20为 详细信息.
模式
V
CC
E1 E2 G W dq0-dq7 电源
Deselect
4.75 至 5.5v
或者
4.5 至 5.5v
V
IH
X X X 高 z 备用物品
Deselect X
V
IL
X X 高 z 备用物品
写
V
IL
V
IH
X
V
IL
D
在
起作用的
读
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
D
输出
起作用的
读
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
高 z 起作用的
Deselect
V
所以
至 v
PFD
(最小值)
(1)
X X X X 高 z cmos 备用物品
Deselect
≤
V
所以
(1)
X X X X 高 z 电池 后面的-向上 模式
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