M48T08Y-10MH1_集成电路资料查询网

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m48t08, m48t08y, m48t18
表格 4. 写 模式 交流 特性
便条: 1. 有效的 为 包围的 运行 温度: t
一个
= 0 至 70°c; v
CC
= 4.75 至 5.5v 或者 4.5 至 5.5v (except 在哪里 noted).
标识
参数
(1)
m48t08/m48t18/t08y
单位–100/–10 (t08y) –150/–15 (t08y)
MinMaxMinMax
t
AVAV
写 循环 时间 100 150 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 0 0 ns
t
AVE1L
地址 有效的 至 碎片 使能 1 低 0 0 ns
t
AVE2H
地址 有效的 至 碎片 使能 2 高 0 0 ns
t
WLWH
写 使能 脉冲波 宽度 80 100 ns
t
E1LE1H
碎片 使能 1 低 至 碎片 使能 1 高 80 130 ns
t
E2HE2L
碎片 使能 2 高 至 碎片 使能 2 低 80 130 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 10 10 ns
t
E1HAX
碎片 使能 1 高 至 地址 转变 10 10 ns
t
E2LAX
碎片 使能 2 低 至 地址 转变 10 10 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 50 70 ns
t
DVE1H
输入 有效的 至 碎片 使能 1 高 50 70 ns
t
DVE2L
输入 有效的 至 碎片 使能 2 低 50 70 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 5 5 ns
t
E1HDX
碎片 使能 1 高 至 输入 转变 5 5 ns
t
E2LDX
碎片 使能 2 低 至 输入 转变 5 5 ns
t
WLQZ
写 使能 低 至 输出 hi-z 50 70 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 80 130 ns
t
AVE1H
地址 有效的 至 碎片 使能 1 高 80 130 ns
t
AVE2L
地址 有效的 至 碎片 使能 2 低 80 130 ns
t
WHQX
写 使能 高 至 输出 转变 10 10 ns

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11/27 m48t08, m48t08y, m48t18 表格 4. 写模式交流特性便条: 1. 有效的为包围的运行温度: t 一个 = 0 至 70°c; v CC = 4.75 至 5.5v 或者 4.5 至 5.5v (except 在哪里 noted). 标识参数 (1) m48t08/m48t18/t08y 单位–100/–10 (t08y) –150/–15 (t08y) MinMaxMinMax t AVAV 写循环时间 100 150 ns t AVWL 地址有效的至写使能低 0 0 ns t AVE1L 地址有效的至碎片使能 1 低 0 0 ns t AVE2H 地址有效的至碎片使能 2 高 0 0 ns t WLWH 写使能脉冲波宽度 80 100 ns t E1LE1H 碎片使能 1 低至碎片使能 1 高 80 130 ns t E2HE2L 碎片使能 2 高至碎片使能 2 低 80 130 ns t WHAX 写使能高至地址转变 10 10 ns t E1HAX 碎片使能 1 高至地址转变 10 10 ns t E2LAX 碎片使能 2 低至地址转变 10 10 ns t DVWH 输入有效的至写使能高 50 70 ns t DVE1H 输入有效的至碎片使能 1 高 50 70 ns t DVE2L 输入有效的至碎片使能 2 低 50 70 ns t WHDX 写使能高至输入转变 5 5 ns t E1HDX 碎片使能 1 高至输入转变 5 5 ns t E2LDX 碎片使能 2 低至输入转变 5 5 ns t WLQZ 写使能低至输出 hi-z 50 70 ns t AVWH 地址有效的至写使能高 80 130 ns t AVE1H 地址有效的至碎片使能 1 高 80 130 ns t AVE2L 地址有效的至碎片使能 2 低 80 130 ns t WHQX 写使能高至输出转变 10 10 ns

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