m48t35, m48t35y
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表格 10. 写 模式 交流 特性
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c; v
CC
= 4.75v 至 5.5v 或者 4.5v 至 5.5v)
便条: 1. C
L
= 5pf.
2. 如果 e
变得 低 同时发生地 和 wgoing 低, 这 输出 仍然是 在 这 高 阻抗 状态.
标识 参数
m48t35 / m48t35y
单位-70
最小值 最大值
t
AVAV
写 循环 时间 70 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 0 ns
t
AVEL
地址 有效的 至 碎片 使能 低 0 ns
t
WLWH
写 使能 脉冲波 宽度 50 ns
t
ELEH
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 55 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 0 ns
t
EHAX
碎片 使能 高 至 地址 转变 0 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 30 ns
t
DVEH
输入 有效的 至 碎片 使能 高 30 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 5 ns
t
EHDX
碎片 使能 高 至 输入 转变 5 ns
t
WLQZ
(1, 2)
写 使能 低 至 输出 hi-z 25 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 60 ns
t
AVEH
地址 有效的 至 碎片 使能 高 60 ns
t
WHQX
(1, 2)
写 使能 高 至 输出 转变 5 ns
数据 保持 模式
和 有效的 v
CC
应用, 这 m48t35/35y 运作
作 一个 常规的 bytewide 静态的 内存. 应当
这 供应 电压 decay, 这 内存 将 自动地-
cally 电源-失败 deselect, 写 protecting 它自己
当 v
CC
falls 在里面 这 v
PFD
(最大值), v
PFD
(最小值)
window. 所有 输出 变为 高 阻抗, 和
所有 输入 是 treated 作 "don't 小心."
便条
: 一个 电源 失败 在 一个 写 循环 将 cor-
rupt 数据 在 这 目前 addressed location, 但是
做 不 jeopardize 这 rest 的 这 内存's 内容.
在 电压 在下 v
PFD
(最小值), 这 用户 能 是 作-
sured 这 记忆 将 是 在 一个 写 保护 状态,
提供 这 v
CC
下降 时间 是 不 较少 比 tf. 这
m48t35/35y 将 respond 至 瞬时 噪音
尖刺 在 v
CC
那 reach 在 这 deselect window
在 这 时间 这 设备 是 抽样 v
CC
. 那里-
fore, 解耦 的 这 电源 供应 线条 是 rec-
ommended.
当 v
CC
drops 在下 v
所以
, 这 控制 电路
switches 电源 至 这 内部的 电池 这个 前-
serves 数据 和 powers 这 时钟. 这 内部的
button cell 将 维持 数据 在 这 m48t35/35y
为 一个 accumulated 时期 的 在 least 7 年 当
V
CC
是 较少 比 v
所以
. 作 系统 电源 returns
和 v
CC
rises 在之上 v
所以
, 这 电池 是 discon-
nected, 和 这 电源 供应 是 切换 至 exter-
nal v
CC
. 写 保护 持续 直到 v
CC
reaches v
PFD
(最小值) 加 t
REC
(最小值). e应当 是
保持 高 作 v
CC
rises past v
PFD
(最小值) 至 阻止
inadvertent 写 循环 较早的 至 处理器 stabili-
zation. 正常的 内存 运作 能 重新开始 t
REC
之后 v
CC
超过 v
PFD
(最大值).
为 更多 信息 在 电池 存储 生命 谈及
至 这 应用 便条 an1012.
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