图示 10 显示 这 情况 的 一个 止 频道 和 v+
和 v- 呈现. 作 和 计算数量 8 和 9, 也 一个 n-
频道 或者 一个 p-频道 设备 将 是 止 为 任何 输入
电压 从 -40v 至 +40v. 这 泄漏 电流 和
负的 overvoltages 将 立即 漏出 至 一个 few
nanoamps 在 +25°c. 为 积极的 overvoltages, 那
故障 电流 将 initially 是 10µa 或者 20µa, decaying
在 一个 few 秒 至 这 nanoamp 水平的. 这 时间
常量 的 这个 decay 是 造成 用 这 释放 的
贮存 承担 从 内部的 nodes 和 做 不 com-
promise 这 故障-保护 scheme.
图示 11 显示 这 情况 的 这 在 频道 和
v+ 和 v- 呈现. 和 输入 电压 较少 比 ±10v,
所有 三 fets 是 在 和 这 输入 信号 呈现 在
这 输出. 如果 这 输入 电压 超过 v+ minus 这
n-频道 门槛 电压 (v
TN
), 这 n-频道 场效应晶体管
将 转变 止. 为 电压 更多 负的 比 v- minus
这 p-频道 门槛 (v
TP
), 这 p-频道 设备 将
转变 止. 自从 v
TN
是 典型地 1.5v 和 v
TP
是 典型地
3v, 这 多路调制器’s 输出 摆动 是 限制 至 关于 -12v
至 +13.5v 和 ±15v 供应.
切换 特性
和 承担 injection
表格 1 显示 典型 承担 injection 水平 相比
电源-供应 电压 和 相似物 输入 电压. 这
承担 injection 那 occurs 在 切换 creates 一个
电压 瞬时 谁的 巨大 是 inversely propor-
tional 至 这 电容 在 这 多路调制器 输出.
max354/max355
故障-保护 相似物 multiplexers
_______________________________________________________________________________________ 9
G
D
Q1
S
-25v
n-频道 mosfet
是 转变 on
因为 v
GS
= +25v
-25v
超（电）压
p-channel
场效应晶体管 是 止
G
D
Q2
S
G
D
Q3
S
图示 8. -25v 超（电）压 和 多路调制器 电源 止
+15v-15v -15v
Q1
n-频道 mosfet
是 转变 on
因为 v
GS
= +10v
-25v
超（电）压
p-channel
场效应晶体管 是 止
n-channel
场效应晶体管 是 止
+15v from
驱动器
-15v from
驱动器
+25v forced
在 common
输出 线条 by
外部 电路系统
Q2 Q3
图示 10. -25v 超（电）压 在 一个 止 频道 和
多路调制器 电源 供应 在
G
D
Q1
S
n-频道 mosfet
是 转变 off
因为 v
GS
= -25v
+25V
超（电）压
G
D
Q2
S
G
D
Q3
S
图示 9. +25v 超（电）压 和 多路调制器 电源 止
+15v-15v -15v
Q1
n-频道 mosfet
是 转变 off
因为 v
GS
= -10v
+25V
超（电）压
13.5v
V
TN
= 1.5v
n-channel
场效应晶体管 是 在
-15v from
驱动器
+15v from
驱动器
13.5v
输出
Q2 Q3
图示 11. +25v 超（电）压 输入 至 这 在 频道
表格 1. max354 承担 injection
测试 情况: c
L
, = 1000pf 在 mux 输出; 这 tabulated
相似物 输入 水平的 是 应用 至 频道 1; 途径 2–8 输入
是 打开 短路. en = +5v, v
A1
= v
A2
= 0v, v
O
是 toggled 在
一个 2khz 比率 在 0v 和 3v. +100pc 的 承担 creates 一个
+100mv 步伐 当 injected 在 一个 1000pf 加载 电容.
供应 电压 相似物 输入 水平的 injected 承担
±5V
+2V
0V
-2v
52pC
35pC
16pC
±10V
+5V
0V
-5v
105pC
65pC
25pC
±15V
+10V
0V
-10v
180pC
80pC
15pC
: 点此下载
