MAX4410
80mw, directdrive 立体的 headphone 驱动器
和 关闭
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4) 当 使用 这 headphone jack 作 一个 线条 输出 至 其它
设备, 这 偏差 电压 在 这 sleeve 将 con-
flict 和 这 地面 潜在的 从 其它 设备,
结果 在 可能 损坏 至 这 驱动器.
低-频率 回馈
在 增加 至 这 费用 和 大小 disadvantages 的 这 直流-
blocking 电容 必需的 用 常规的 head-
phone 放大器, 这些 电容 限制 这 放大器
’
s
低-频率 回馈 和 能 distort 这 音频的 信号.
1) 这 阻抗 的 这 headphone 加载 和 这 直流-
blocking 电容 表格 一个 高通 过滤 和 这
-3db 要点 设置 用:
在哪里 r
L
是 这 headphone 阻抗 和 c
输出
是
这 直流-blocking 电容 值. 这 高通 过滤
是 必需的 用 常规的 单独的-结束, 单独的
电源-供应 headphone 驱动器 至 块 这 midrail
直流 偏差 组件 的 这 音频的 信号 从 这
headphones. 这 drawback 至 这 过滤 是 那 它 能
attenuate 低-频率 信号. 大 值 的
C
输出
减少 这个 效应 但是 结果 在 physically larg-
er, 更多 expensive 电容. 图示 2 显示 这
relationship 在 这 大小 的 c
输出
和 这 结果-
ing 低-频率 attenuation. 便条 那 这 -3db
要点 为 一个 16
Ω
headphone 和 一个 100
µ
f blocking
电容 是 100hz, 好 在里面 这 正常的 音频的
带宽, 结果 在 低-频率 attenuation 的 这
reproduced 信号.
2) 这 电压 系数 的 这 直流-blocking 电容
contributes 扭曲量 至 这 reproduced 音频的 信号
作 这 电容 值 varies 作 一个 函数 的 这
电压 改变 横过 这 电容. 在 低 fre-
quencies, 这 reactance 的 这 电容 支配
在 发生率 在下 这 -3db 要点 和 这 电压
系数 呈现 作 频率-依赖 distor-
tion. 图示 3 显示 这 thd + n introduced 用 二
不同的 电容 dielectric 类型. 便条 那 在下
100hz, thd + n 增加 迅速.
这 结合体 的 低-频率 attenuation 和 fre-
quency-依赖 扭曲量 compromises 音频的
再版 在 可携带的 音频的 设备 那 empha-
sizes 低-频率 影响 此类 作 多媒体 lap-
tops, 作 好 作 mp3, cd, 和 dvd 播放机. 用
eliminating 这 直流-blocking 电容 通过
directdrive 技术, 这些 电容-related defi-
ciencies 是 eliminated.
承担 打气
这 max4410 特性 一个 低-噪音 承担 打气. 这
320khz 切换 频率 是 好 在之外 这 音频的
范围, 和 因此 做 不 干涉 和 这 音频的 sig-
nals. 这 转变 驱动器 特性 一个 控制 切换
速 那 降低 噪音 发生 用 转变-在 和
转变-止 过往旅客. 用 限制的 这 切换 速 的 这
switches, 这 di/dt 噪音 造成 用 这 parasitic bond
线 和 查出 电感 是 使减少到最低限度. 虽然 不
典型地 必需的, 额外的 高-频率 噪音 atten-
uation 能 是 达到 用 增加 这 大小 的 c2
(看
典型 应用 电路
).
f
RC
dB
L 输出
−
=
3
1
2
π
lf 滚动 止 (16
Ω
加载)
max4410 fig02
频率 (hz)
attenuation (db)
100
-30
-25
-20
-10
-3db corner 为
100
µ
f 是 100hz
-15
-5
-3
0
-35
10 1k
33
µ
F
330
µ
F
220
µ
F
100
µ
F
图示 2. 低-频率 attenuation 为 一般 直流-blocking
电容 值
额外的 thd + n 预定的
至 直流-blocking 电容
max4410 fig03
频率 (hz)
thd + n (%)
10k1k100
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
10 100k
TANTALUM
alum/elec
图示 3. 扭曲量 contributed 用 直流-blocking 电容
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