max4781/max4782/max4783
高-速, 低-电压, 0.7
Ω
cmos 相似物
switches/multiplexers
4 _______________________________________________________________________________________
电的 characteristics—single +1.8v 供应
(v
CC
= +1.8v, 地 = 0, v
IH
= 1v, v
IL
= 0.4v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在 t
一个
= +25°c.) (注释 2, 3)
参数 标识 情况 T
一个
最小值 典型值 最大值 单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
V
X
_, v
Y
_
,
V
Z
_, v
X
,
V
Y
, v
Z
0V
CC
V
+25°C 1.6 2.5
在-阻抗 (便条 4) R
在
V
CC
= 1.8v; i
x_
, i
y_
, i
z_
= 10ma;
V
X
, v
Y
, v
Z
= 1.0v
T
M在
至 t
MAX
3.5
Ω
+25°C 0.3 0.4
在-阻抗 相一致 在
途径 (注释 4, 5)
∆
R
在
V
CC
= 1.8v; i
x_
, i
y_
, i
z_
= 10ma;
V
X
, v
Y
, v
Z
= 1.0v
T
M在
至 t
MAX
0.6
Ω
转变 动态 特性
+25°C 17 30
转变-在 时间 t
在
V
x_
, v
y_
, v
z_
= 1.0v; r
L
= 50
Ω
;
C
L
= 35pf; 图示 1
T
M在
至 t
MAX
32
ns
+25°C 8 20
转变-止 时间 t
止
V
x_
, v
y_
, v
z_
= 1.0v; r
L
= 50
Ω
;
C
L
= 35pf; 图示 1
T
M在
至 t
MAX
22
ns
+25°C 17 30
地址 转变 时间 t
TRANS
V
x_
, v
y_
, v
z_
= 1.0v; r
L
= 50
Ω
;
C
L
= 35pf; 图示 2
T
M在
至 t
MAX
32
ns
+25°C 26
破裂-在之前-制造 时间
(便条 7)
t
BBM
V
x_
, v
y_
, v
z_
= 1v; r
L
= 50
Ω
;
C
L
= 35pf; 图示 3
T
M在
至 t
MAX
1
ns
承担 injection Q
V
GEN
= 0, r
GEN
= 0, c
L
= 1nf,
图示 4
+25°C -40 pC
数字的 i/o
输入 逻辑 高 V
IH
T
M在
至 t
MAX
1V
输入 逻辑 低 V
IL
T
M在
至 t
MAX
0.4 V
输入 泄漏 电流 I
在
_v
一个
, v
B
, v
C
=V
e n一个 bLE
=0 或者3.6v T
M在
至 t
MAX
-1
0.000
+1 µA
电源 供应
电源-供应 范围 V
CC
1.6 3.6 V
积极的 供应 电流 I
CC
V
CC
= 3.6v; v
一个
, v
B
, v
C
,
V
e n一个 bLE
= 0 或者 3.6v
1µA
便条 2:
这 algebraic convention 是 使用 在 这个 数据 薄板; 这 大多数 负的 值 是 显示 在 这 最小 column.
便条 3:
设备 是 测试 在 最大 hot 温度 和 是 有保证的 用 设计 和 correlation 在 t
一个
= +25°c 和 -40°c
规格.
便条 4:
R
在
和
∆
R
在
相一致 规格 为 薄的 qfn-packaged 部分 是 有保证的 用 设计.
便条 5:
∆
R
在
= r
在(最大值)
- r
在(最小值).
便条 6:
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这 最大 和 最小 值 的 在-阻抗 作 量过的 在 这
指定 相似物 信号 范围.
便条 7:
有保证的 用 设计; 不 生产 测试.
便条 8:
止-分开 = 20log10(v
com_
/ v
非
), v
com_
= 输出, v
非
= 输入 至 止 转变.
便条 9:
在 任何 二 途径.
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