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资料编号:86221
 
资料名称:TC1426COA
 
文件大小: 453.63K
   
说明
 
介绍:
1.2A Dual High-Speed MOSFET Drivers
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002 微芯 技术 公司 ds21393b-页 7
tc1426/tc1427/tc1428
4.0 典型 特性
便条:
这 graphs 和 tables 提供 下列的 这个 便条 是 一个 statistical summary 为基础 在 一个 限制 号码 的
样本 和 是 提供 为 informational 目的 仅有的. 这 效能 特性 列表 在此处 是
不 测试 或者 有保证的. 在 一些 graphs 或者 tables, 这 数据 提交 将 是 外部 这 指定
运行 范围 (e.g., 外部 指定 电源 供应 范围) 和 因此 外部 这 warranted 范围.
550
440
330
220
110
0
579111315
时间 (nsec)
V
DD
(v)
10,000pf
4700pF
2200pF
上升 时间 vs. 供应 电压
330
264
198
132
66
0
时间 (nsec)
10,000pf
2200pF
4700pF
57 9111315
下降 时间 vs. 供应 电压
t
D1
时间 (nsec)
5
7
9
11
13
15
80
70
60
50
40
30
延迟 时间 vs. 供应 电压
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= +25
°
C
C
L
= 1000pf
T
一个
= +25
°
C
V
DD
(v) V
DD
(v)
t
D2
40
32
24
16
8
0
25 45 65 85 105
125
温度 (
°
c)
时间 (nsec)
上升 和 下降 时间 vs. 温度
60
54
48
42
36
0
25 45 65 85 105 125
温度 (
°
c)
时间 (nsec)
延迟 时间 vs. 温度
30
24
18
12
6
0
100 520 940 1360 1780 2200
供应 电流 (毫安)
电容的 加载 (pf)
500kHz
200kHz
20kHz
供应 电流 vs. 电容的 加载
C
L
= 1000pf
V
DD
= +15v
T
一个
= +25
°
C
C
L
= 1000pf
V
DD
= +15v
C
L
= 1000pf
V
DD
= +15v
t
D1
t
D2
t
下降
t
上升
电容的 加载 (pf)
100
1000
10,000
1000
100
10
10
V
DD
时间 (nsec)
5
V
DD
15
V
DD
上升 时间 vs. 电容的 加载
1000
100
10
100
1000
10,000
电容的 加载 (pf)
时间 (nsec)
5
V
DD
10
V
DD
下降 时间 vs. 电容的 加载
15
V
DD
100
80
60
40
20
0
10
100 1000
10,000
V
DD
= 15v
V
DD
= 10v
v = 5v
DD
频率 (khz)
供应 电流 (毫安)
供应 电流 vs. 频率
C
L
= 1000pf
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= +25
°
C
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