max8211/max8212
微处理器 电压 monitors
和 可编程序的 电压 发现
4 _______________________________________________________________________________________
V+
HYST
THRESH
MAX8211
MAX8212
OUT
地
V+
R3
R2
R1
V
输出
V
在
图示 3. 基本 超（电）压/欠压 电路
在 这 网络 那 设置 向上 这 trip 电压, 自从 这
比较器 输入 (thresh 管脚) 是 一个 低-泄漏
场效应晶体管 晶体管. 这个 更远 减少 系统 电流
流. 这 容忍 的 这 内部的 涉及 有 也
被 significantly 改进, 准许 为 更多 准确的
电压 发现 没有 这 使用 的 电位器.
这 有 电流 从 这 hyst 输出 有 被
增加 从 21µa 至 10ma, 制造 这 hysteresis
特性 easier 至 使用. 这 disparity 在 这 hyst
输出 和 这 电压 必需的 在 thresh 至 转变
这 输出 管脚 有 也 被 减少 在 这 max8211
从 8mv 至 0.1mv 至 eliminate 输出 “chatter” 或者
振动.
大多数 电压 发现 电路 运作 和 供应 的
15v 或者 较少; 在 这些 产品, 这 max8211/
max8212 将 替代 icl8211/icl8212s 和 这 每-
formance 有利因素 描述 在之上. 不管怎样, 便条
那 这 cmos 部分 有 一个 绝对 最大 sup-
ply-电压 比率 的 18v, 和 应当 从不 是 使用 在
产品 在哪里 这个 比率 可以 是 超过.
exercise 提醒 当 replacing icl8211/icl8212s 在
关闭-循环 产品 此类 作 可编程序的
zeners. 虽然 neither 这 icl8211/icl8212 也不 这
max8211/max8212 是 内部 补偿, 这
cmos 部分 有 高等级的 增益 和 将 不 是 稳固的
为 这 外部 补偿-电容 值 使用 在
更小的-增益 icl8211/icl8212 电路.
__________产品 信息
基本 电压 detectors
图示 3 显示 这 基本 电路 为 两个都 欠压
发现 (max8211) 和 超（电）压 发现
(max8212). 为 产品 在哪里 非 hysteresis 是
需要, r3 应当 是 omitted. 这 比率 的 r1 至 r2 是
然后 选择 此类 那, 为 这 desired trip 电压 在 v
在
,
1.15v 是 应用 至 这 thresh 管脚. 自从 这 com-
parator 输入 是 非常 低-泄漏 场效应晶体管 transis-
tors, 这 max8211/max8212 能 使用 更 高等级的
电阻器 值 在 这 attenuator 网络 比 能 这
双极 icl8211/icl8212. 看 表格 1 为 切换
延迟.
表格 1. 切换 延迟
电压 detectors 和 hysteresis
至 确保 噪音-自由 输出 切换, hysteresis 是
frequently 使用 在 电压 detectors. 为 两个都 这
max8211 和 max8212 这 hyst 输出 是 在 为
门槛 电压 更好 比 1.15v. r3 (图示 3)
控制 这 数量 的 电流 (积极的 反馈) sup-
plied 从 这 hyst 输出 至 这 mid-要点 的 这 resis-
tor 分隔物, 和 hence 这 巨大 的 这 hysteresis,
或者 dead-带宽.
图示 2. max8212 块 图解
P
N
1.15v
涉及
HYST
输出
THRESH
V+
典型 延迟 MAX8211 MAX8212
t
(在)
40µs 250µs
t
(止)
1.5ms 3ms
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