MC14538B
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power–down 仔细考虑
大 电容 值 能 导致 问题 预定的 至 这
大 数量 的 活力 贮存. 当 一个 系统 containing
这 mc14538b 是 powered 向下, 这 电容 电压 将
释放 从 v
DD
通过 这 标准 保护 二极管
在 管脚 2 或者 14. 电流 通过 这 保护 二极管 应当
是 限制 至 10 毫安 和 因此 这 释放 时间 的 这
V
DD
供应 必须 不 是 faster 比 (v
DD
). (c)/(10 毫安).
为 例子, 如果 v
DD
= 10 v 和 c
X
= 10
µ
f, 这 v
DD
供应
应当 释放 非 faster 比 (10 v) x (10
µ
f)/(10 毫安)
= 10 ms. 这个 是 正常情况下 不 一个 问题 自从 电源
供应 是 heavily filtered 和 不能 释放 在 这个 比率.
当 一个 更多 迅速 decrease 的 v
DD
至 零 伏特 occurs,
这 mc14538b 能 支持 损坏. 至 避免 这个 possibility
使用 一个 外部 夹紧 二极管, d
X
, 连接 作 显示 在
图. 11.
图示 11. 使用 的 一个 二极管 至 限制
电源 向下 电流 surge
V
SS
D
x
V
DD
V
DD
R
x
C
x
Q
Q
重置
图示 12. retriggerable
monostables 电路系统
图示 13. non–retriggerable
monostables 电路系统
C
X
R
X
V
DD
Q
Q
重置 = v
DD
b = v
DD
一个
B
RISING–EDGE
触发
C
X
R
X
V
DD
Q
Q
重置 = v
DD
B
一个 = v
SS
FALLING–EDGE
触发
C
X
R
X
V
DD
Q
Q
一个
B
重置
= v
DD
C
X
R
X
V
DD
Q
Q
重置 = v
DD
一个
B
FALLING–EDGE
触发
RISING–EDGE
触发
NC
NC
NC
V
DD
V
DD
一个
B
图示 14. 连接 的 unused sections
Q
Q
C
D
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