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LTC1266
LTC1266 -3.3/LTC1266 - 5
applicatio s i 为 atio
WUU U
从 这 职责 循环, 这 必需的 r
ds(在)
为 各自
场效应晶体管 能 是 获得:
ts r
ds(在)
=
V
在
×
P
T
V
输出
×
I
最大值
2
×
(1 +
δ
T
)
bs r
ds(在)
=
V
在
×
P
B
(v
在
– v
输出
)
×
I
最大值
2
×
(1 +
δ
B
)
在哪里 p
T
和 p
B
是 这 容许的 电源 dissipations 和
δ
T
和
δ
B
是 这 温度 dependencies 的 r
ds(在)
. p
T
和 p
B
将 是 决定 用 效率 和/或者 热的
(所需的)东西 (看 效率 仔细考虑). 为 一个场效应晶体管,
(1 +
δ
) 是 一般地 给 在 这 表格 的 一个 normalized
R
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是
δ
PCH
= 0.007/
°
c 和
δ
NCH
= 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个 approximation 为 低
电压 mosfets.
这 最小 输入 电压 确定 whether 标准
门槛 或者 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是 使用.
为 v
在
> 8v, 标准 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 4v)
将 是 使用. 如果 v
在
是 预期的 至 漏出 在下 8v, 逻辑-
水平的 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 2.5v) 是 strongly
推荐. 这 ltc1266 序列 电源 v
在
必须 al-
方法 是 较少 比 这 绝对 最大 v
GS
比率 为
这 mosfets.
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 仅有的 conducts
在 这 deadtime 在 这 传导 的 这 二
电源 mosfets. d1’s sole 目的 在 生命 是 至 阻止 这
身体 二极管 的 这 bottom-一侧 场效应晶体管 从 turning 在
和 storing 承担 在 这 deadtime, 这个 可以 费用
作 更 作 1% 在 效率 (虽然 那里 是 非 其它
harmful 影响 如果 d1 是 omitted). 因此, d1 应当 是
选择 为 一个 向前 电压 的 较少 比 0.7v 当
组织 i
最大值
.
C
在
和 c
输出
选择
在 持续的 模式, 这 电流 通过 这 topside
场效应晶体管 是 一个 正方形的 波 的 职责 循环 v
输出
/v
在
. 至
阻止 大 电压 过往旅客, 一个 低 等效串联电阻 (有效的
序列 阻抗) 输入 电容 sized 为 这 最大
rms 电流 必须 是 使用. 这 最大 rms 电容
电流 是 给 用:
C
在
必需的 i
RMS
≈
I
最大值
[V
输出
(v
在
–
V
输出
)]
1/2
V
在
这个 formula 有 一个 最大 在 v
在
= 2v
输出
, 在哪里
I
RMS
= i
输出
/2. 这个 简单的 worst-情况 情况 是 com-
monly 使用 为 设计 因为 甚至 重大的 devia-
tions 做 不 提供 更 relief. 便条 那 电容
生产者’s 波纹 电流 比率 是 常常 为基础 在
仅有的 2000 小时 的 生命. 这个 制造 它 明智 至 更远
减额 这 电容, 或者 至 choose 一个 电容 评估 在 一个
高等级的 温度 比 必需的. 总是 咨询 这
生产者 如果 那里 是 任何 question. 一个 额外的 0.1
µ
F
至 1
µ
f 陶瓷的 电容 是 也 必需的 在 电源 v
在
(管脚 2) 为 高 频率 解耦.
这 选择 的 c
输出
是 驱动 用 这 必需的 等效串联电阻.
这
等效串联电阻 的 c
输出
必须 是 较少 比 两次 这 值 的 r
SENSE
为 恰当的 运作 的 这 ltc1266 序列:
C
输出
必需的 等效串联电阻 < 2r
SENSE
最佳的 效率 是 得到 用 制造 这 等效串联电阻 equal
至 r
SENSE
. 作 这 等效串联电阻 是 增加 向上 至 2r
SENSE
, 这
效率 degrades 用 较少 比 1%. 如果 这 等效串联电阻 是 更好
比 2r
SENSE
, 这 电压 波纹 在 这 输出 电容
将 prematurely 触发 burst 模式
运作, 结果 在
disruption 的 持续的 模式 和 一个 效率 hit 这个
能 是 一些 百分比. 如果 burst 模式 运作 是 dis-
abled, 这 等效串联电阻 必要条件 能 是 relaxed 和 是 限制
仅有的 用 这 容许的 输出 电压 波纹.
manufacturers 此类 作 nichicon 和 联合的 chemicon
应当 是 考虑 为 高 效能 电容.
这 os-con 半导体 dielectric 电容 有
从 sanyo 有 这 最低 等效串联电阻/大小 比率 的 任何 铝
electrolytic 在 一个 somewhat 高等级的 价格. once 这 等效串联电阻
必要条件 为 c
输出
有 被 符合, 这 rms 电流
比率 一般地 far 超过 这 i
波纹(p-p)
必要条件.
在 表面 挂载 产品 多样的 电容 将
有 至 是 paralleled 至 满足 这 电容, 等效串联电阻 或者 rms
电流 处理 (所需的)东西 的 这 应用. 一个
极好的 选择 是 这 avx tps 序列 的 表面 挂载
tantalums.
在 低 供应 电压, 一个 最小 电容 在 c
输出
是 需要 至 阻止 一个 abnormal 低 频率 oper-
ating 模式 (看 图示 4). 当 c
输出
是 制造 too
小, 这 输出 波纹 在 低 发生率 将 是 大
足够的 至 trip 这 电压 比较器. 这个 导致
burst 模式
运作 至 是 使活动 当 这 ltc1266
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