九月 1999 5 mic4426/4427/4428
mic4426/4427/4428 Micrel
电的 特性
上升 和 下降 时间 vs.
供应 电压
05 2010 15
t
F
供应 电压 (v)
70
60
50
40
10
0
时间 (ns)
20
30
延迟 时间 vs. 供应 电压
05 2010 15
供应 电压 (v)
35
30
25
20
5
0
时间 (ns)
10
15
40
30
10
时间 (ns)
20
-25 0 150
25 50
温度 (
°
c)
75
100
125
延迟 时间 vs. 温度
35
30
25
20
5
0
时间 (ns)
10
15
-25 0 15025 50
温度 (
°
c)
75 100 125
t
D1
供应 电流 vs.
电容的 加载
80
70
60
50
20
0
供应 电流 (毫安)
30
40
10
400kHz
200
kHz
20kHz
10 10000100
电容的 加载 (pf)
1000
1k
100
10
1
时间 (ns)
10 10000100
电容的 加载 (pf)
1000
上升 和 下降 时间 vs.
电容的 加载
t
R
t
F
供应 电流 vs. 频率
v = 18v
S
10 v
5 v
20
0
供应 电流 (毫安)
30
10
1 100010
频率 (khz)
100
高 输出 vs. 电流
| v – v | (v)
S 输出
电流 sourced (毫安)
低 输出 vs. 电流
1.20
0.96
0
0.48
0.72
0.24
010
电流 sunk (毫安)
20 30 40 50 60 70 80 90 100
10 v
15 v
输出 电压 (v)
上升 和 下降 时间
vs. 温度
1.20
0.96
0
0.48
0.72
0.24
0 10 2030405060708090100
10 v
15 v
-50
t
R
-50
-75
t
R
t
F
-75
t
D2
t
D1
t
D2
c = 1000pf
t = 25
°
C
L
一个
c = 1000pf
t = 25
°
C
L
一个
c = 1000pf
v = 18v
L
S
c = 1000pf
v = 18v
L
S
t = 25
°
C
v = 18v
一个
S
t = 25
°
C
v = 18v
一个
S
t = 25
°
C
c = 1000pf
L
一个
t = 25
°
C
一个
v = 5v
C
t = 25
°
C
一个
v = 5v
S
安静的 电源 供应
电流 vs. 供应 电压
包装 电源 消耗
25 50 15075 100
包围的 温度 (
°
c)
1000
750
250
0
500
安静的 电源 供应
电流 vs. 供应 电压
0
0.5
2.5
1.0
1.5
供应 电流 (毫安)
201550
供应 电压 (v)
10
2.0
125
供应 电流 (
µ
一个)
151005
0
50
100
150
200
300
400
20
供应 电压 (v)
最大 包装
电源 消耗 (mw)
1250
非 加载
两个都 输入 逻辑 "1"
t = 25
°
C
一个
非 加载
两个都 输入 逻辑 "0"
t = 25
°
C
一个
SOIC
PDIP