九月 1999 3 mic4426/4427/4428
mic4426/4427/4428 Micrel
绝对 最大 比率
(便条 1)
供应 电压 (v
S
) ....................................................+22V
输入 电压 (v
在
) ......................... V
S
+ 0.3v 至 地 – 5v
接合面 温度 (t
J
) ........................................ 150
°
C
存储 温度 ............................... –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (10 秒.)...................................... 300
°
C
静电释放 比率,
便条 3
运行 比率
(便条 2)
供应 电压 (v
S
) ..................................... +4.5v 至 +18v
温度 范围 (t
一个
)
(一个) ........................................................ –55
°
c 至 +125
°
C
(b) .......................................................... –40
°
c 至 +85
°
C
包装 热的 阻抗
PDIP
θ
JA
............................................................ 130
°
c/w
PDIP
θ
JC
............................................................. 42
°
c/w
SOIC
θ
JA
........................................................... 120
°
c/w
SOIC
θ
JC
............................................................. 75
°
c/w
MSOP
θ
JC
......................................................... 250
°
c/w
电的 特性
4.5v
≤
V
s
≤
18v; t
一个
= 25
°
c,
bold
值 表明 全部 指定 温度 范围; 除非 指出.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
IH
逻辑 1 输入 电压 2.4 1.4 V
2.4 1.5
V
V
IL
逻辑 0 输入 电压 1.1 0.8 V
1.0 0.8
V
I
在
输入 电流 0
≤
V
在
≤
V
S
–1 1
µ
一个
输出
V
OH
高 输出 电压
V
S
–0.025
V
V
OL
低 输出 电压
0.025
V
R
O
输出 阻抗 I
输出
= 10ma, v
S
= 18v 6 10
Ω
812
Ω
I
PK
顶峰 输出 电流
1.5
一个
I 获得-向上 保护 承受 反转 电流
>500
毫安
切换 时间
t
R
上升 时间 测试 图示 1 18 30 ns
20 40
ns
t
F
下降 时间 测试 图示 1 15 20 ns
29 40
ns
t
D1
延迟 tlme 测试 flgure 1 17 30 ns
19 40
ns
t
D2
延迟 时间 测试 图示 1 23 50 ns
27 60
ns
t
PW
脉冲波 宽度 测试 图示 1
400
ns
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 V
INA
= v
INB
= 3.0v 1.4 4.5 毫安
1.5 8
毫安
I
S
电源 供应 电流 V
INA
= v
INB
= 0.0v 0.18 0.4 毫安
0.19 0.6
毫安
便条 1.
exceeding 这 绝对 最大 比率 将 损坏 这 设备.
便条 2.
这 设备 是 不 有保证的 至 函数 外部 它的 运行 比率.
便条 3.
设备 是 静电释放 敏感的. 处理 预防措施 推荐.
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