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3599a–dflash–11/05
at26df161 [preliminary]
3. 块 图解
4. 记忆 排列
至 提供 这 greatest flexibility, 这 记忆 排列 的 the at26df161 能 是 erased 在 四 lev-
els 的 granularity 包含 一个 全部 碎片 擦掉. 在 增加, 这 排列 有 被 分隔 在 物理的
sectors 的 uniform 大小, 的 这个 各自 sector 能 是 individually 保护 从 程序 和
擦掉 行动. 这 大小 的 这 物理的 sectors 是 优化 为 两个都 代号 和 数据 存储
产品, 准许 两个都 代号 和 数据 部分 至 reside 在 它们的 自己的 分开的 regions.图-
ure 4-1 在 页 4illustrates 这 损坏 的 各自 擦掉 水平的 作 好 作 这 损坏 的
各自 物理的 sector.
图示 2-1.
8-soic 顶 视图
图示 2-2.
8-mlf 顶 视图
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
所以
W
P
G
N
D
V
CC
N
C
SCK
SI
CS
所以
W
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SI
8
7
6
5
1
2
3
4
FLASH
记忆
排列
y-gating
CS
SCK
所以
SI
y-解码器
地址 获得
x-解码器
i/o 缓存区
和 latches
控制 和
保护 逻辑
SRAM
数据 缓存区
WP
接口
控制
和
逻辑