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资料编号:873158
 
资料名称:MMBZ5242BLT1
 
文件大小: 168K
   
说明
 
介绍:
SEMICONDUCTOR
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
j1–4/5
一般 数据 — 225mw sot
23
1000
100
10
1
1 10 100
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0 102030 40 506070 8090
100
10
1
0.1
0
024681012
10 30 50 70 90
100
10
1
0.1
0.01
偏差 在
50% 的 v
Z
NOM
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 5. 典型 电容
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 6. 典型 泄漏
电流
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
图示 7. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(v
Z
向上 至 12 v)
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
图示 8. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(12 v 至 91 v)
T
一个
= 25°c
0 v 偏差
1 v 偏差
T
一个
= 25°c
T
一个
= 25°c
+150°C
+25°C
–55°C
c, 电容 (pf)
I
R
, 泄漏 电流 (
µ
一个)
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
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