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资料编号:873248
 
资料名称:MMBD330T1
 
文件大小: 153K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diodes
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmbd110. 330. 770t1–2/4
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
注释 在 测试 和 规格
便条 1 — c
C
和 c
T
是 量过的 使用 一个 电容 桥
(boonton electronics 模型 75a 或者 相等的).
便条 2 — 噪音 图示 量过的 和 二极管 下面 测试 在 tuned
二极管 挂载 使用 uhf 噪音 源 和 local 振荡器 (lo)
频率 的 1.0 ghz. 这 lo 电源 是 调整 为 1.0 mw.
I
F
放大器 nf = 1.5 db, f = 30 mhz, 看 图示 5
图示 5. 噪音 图示 测试 circui
典型 特性
MMBD110T1
图示 1. 反转 泄漏
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
图示 2. 向前 电压
V
F
, 向前 电压 (伏特)
图示 3. 电容
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 4. 噪音 图示
P
LO
, local 振荡器 电源 (mw)
c, 电容 (pf)
nf, 噪音 图示 (db) , 向前 电流 (毫安)i
F
, 反转 泄漏 ( 一个)i
R
m
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0 1.0 2.0 3.0 4.0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.3 0.4 0.5 0.6
100
10
1.0
0.1
0.7 0.830 40 50 60 70 80 100
1.0
130110 12090
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
V
R
= 3.0 vdc
local 振荡器 频率 = 1.0 ghz
(测试 电路 图示 5)
T
一个
= – 40
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
MMBD110T1
MMBD110T1
MMBD110T1
MMBD110T1
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