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资料编号:873296
 
资料名称:MMBF170LT3G
 
文件大小: 61K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 500 mA, 60 V
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBF170LT1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 1. 切换 测试 电路 图示 2. 切换 波形
20 db 50
W
ATTENUATOR
脉冲波
发生器
50
W
50
W
+25 v
至 抽样
SCOPE
50
W
输入
脉冲波 宽度
50%
90%
50%
10%
10%
90%
90%
V
输出
INVERTED
输入
(v
振幅 10 伏特)
V
输出
t
t
f
t
d(止)
t
t
d(在)
t
r
I
D
, 流 电流 (放大器)
r
ds(在)
, 静态的 drain–source on–resistance
(normalized)
V
gs(th)
, 门槛 电压 (normalized)
I
D
, 流 电流 (放大器)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
DS
, 流 源 电压 (伏特)
图示 3. ohmic 区域
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
GS
, 门 源 电压 (伏特)
图示 4. 转移 特性
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60 20 + 20 + 60 + 100 + 140 60 20 + 20 + 60 + 100 + 140
t, 温度 (
°
c)
图示 5. 温度 相比 静态的
drain–source on–resistance
t, 温度 (
°
c)
图示 6. 温度 相比 门
门槛 电压
T
一个
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
9 v
8 v
7 v
6 v
4 v
3 v
5 v
V
DS
= 10 v
–55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
= 200 毫安
V
DS
= v
GS
I
D
= 1.0 毫安
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