MMBT6427LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
small–signal 特性
图示 6. 电容
V
R
, 反转 电压 (伏特)
5.0
7.0
10
20
3.0
图示 7. 高 频率 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 8. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 9. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (
µ
一个)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
J
= 25
°
C
c, 电容 (pf)
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|h
fe
|, small–signal 电流 增益
h
FE
, 直流 电流 增益
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40
C
ibo
C
obo
0.5 1.0 2.0 0.5 10 20 50 100 200 500
V
CE
= 5.0 v
f = 100 mhz
T
J
= 25
°
C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0 10 20 30 50 70 100 200 300
500
T
J
= 125
°
C
25
°
C
– 55
°
C
V
CE
= 5.0 v
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
T
J
= 25
°
C
I
C
=
10 毫安
50 毫安 250 毫安 500 毫安
图示 10. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 11. 温度 coefficients
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
1.6
5.0
– 1.0
v, 电压 (伏特)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 1000
R
V
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
θ
T
J
= 25
°
C
V
是(在)
@ v
CE
= 5.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 1000
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
– 6.0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
25
°
c 至 125
°
C
– 55
°
c 至 25
°
C
*R
q
VC
为 v
ce(sat)
q
VB
为 v
是
25
°
c 至 125
°
C
– 55
°
c 至 25
°
C
*applies 为 i
C
/i
B
≤
h
FE
/3.0
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