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mpc8272 powerquicc ii™ 家族 硬件 specifications
MOTOROLA
preliminary—subject 至 改变 没有 注意
直流 电的 特性 直流 电的 特性
图示 2 显示 这 undershoot 和 越过 电压 的 这 60x 总线 记忆 接口 的 这 mpc8272.
便条 那 在 pci 模式 这 i/o 接口 是 不同的.
图示 2. 越过/undershoot 电压
3 直流 电的 特性
表格 5 显示 直流 电的 特性.
表格 5. 直流 电的 特性
1
典型的 标识 最小值 最大值 单位
输入 高 voltage—
所有 输入 除了 trst
和 poreset
2
V
IH
2.0 3.465 V
输入 低 电压 V
IL
地 0.8 V
clkin 输入 高 电压 V
IHC
2.4 3.465 V
clkin 输入 低 电压 V
ILC
地 0.4 V
输入 泄漏 电流, v
在
= vddh
3
I
在
—10µA
hi-z (止 状态) 泄漏 电流, v
在
= vddh
3
I
OZ
—10µA
信号 低 输入 电流, v
IL
= 0.8 v I
L
—1µA
信号 高 输入 电流, v
IH
= 2.0 v I
H
—1µA
输出 高 电压, i
OH
= –2 毫安
除了 utopia 模式, 和 打开 流 管脚
在 utopia 模式
4
(utopia 管脚 仅有的): i
OH
= -8.0ma
PA[8–31]
PB[18–31]
pc[0–1,4–29]
pd[7–25, 29–31]
V
OH
2.4 — V
在 utopia 模式
4
(utopia 管脚 仅有的): i
OL
= 8.0ma
PA[8–31]
PB[18–31]
pc[0–1,4–29]
pd[7–25, 29–31]
V
OL
— 0.5 V
地
地 – 0.3 v
地 – 1.0 v
不 至 超过 10%
GV
DD
的 t
sdram_clk
GV
DD
+ 5%
4 v
V
IH
V
IL
F
r
e
e
s
c
一个
l
e
S
e
m
i
c
o
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c
t
o
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,
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c
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.
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