MSM62X42B_集成电路资料查询网

¡ 半导体
MSM62X42B
49
读 模式 (ale = v
DD
)
CS
1
一个
0
~A
3
CS
0
RD
D
0
~D
3
(输出)
V
IH2
V
IL1
V
IH1
V
IL1
V
IH1
t
AR
t
C1S
t
RD
V
OL
V
OH
V
OL
t
DR
V
IH1
t
RCV
V
IH1
V
OH
t
C1H
V
IH2
t
RA
V
IL1
" z "
V
IH1
= 2.2v
V
IL1
= 0.8v
V
IH2
=
V
IL2
=
4
/5
V
DD
V
OH
= 2.2v
V
OL
= 0.8v
1
/5
V
DD
参数 标识 情况 最小值 单位
CS
1
设置 向上 时间
CS
1
支撑 时间
地址 稳固的 在之前 读
地址 稳固的 之后 读
RD
至 数据
数据 支撑
RD
/
WR
恢复 时间
t
C1S
t
C1H
t
AR
t
RA
t
RD
t
DR
t
RCV
—
—
—
—
C
L
= 150 pf
—
—
1000
1000
20
0
—
0
60
ns
(v
DD
= 5v ± 10%, ta =  –40 至 +85°c)
最大值
—
—
—
120
—
—

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¡ 半导体 MSM62X42B 49 读模式 (ale = v DD ) CS 1 一个 0 ~A 3 CS 0 RD D 0 ~D 3 (输出) V IH2 V IL1 V IH1 V IL1 V IH1 t AR t C1S t RD V OL V OH V OL t DR V IH1 t RCV V IH1 V OH t C1H V IH2 t RA V IL1 " z " V IH1 = 2.2v V IL1 = 0.8v V IH2 = V IL2 = 4 /5 V DD V OH = 2.2v V OL = 0.8v 1 /5 V DD 参数标识情况最小值单位 CS 1 设置向上时间 CS 1 支撑时间地址稳固的在之前读地址稳固的之后读 RD 至数据数据支撑 RD / WR 恢复时间 t C1S t C1H t AR t RA t RD t DR t RCV — — — — C L = 150 pf — — 1000 1000 20 0 — 0 60 ns (v DD = 5v ± 10%, ta = –40 至 +85°c) 最大值 — — — 120 — —

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