MSM81C55-5RS_集成电路资料查询网

4/19
¡ 半导体
msm81c55-5rs/gs/js
交流  特性
参数
标识 单位 Remarks
最大值.最小值.
V
CC
= 4.75 v 至 5.25 v,
ta = –40 至 +70°c
80c85ah 5mhz i/f
最大值
最小值
V
CC
= 4.5 v 至 5.5 v,
ta = –40 至 +80°c
80c85ah 3mhz i/f
地址/获得 建制 时间
t
AL
ns
获得/地址 holt 时间
t
LA
ns
37 —
30 —
50
—
30
—
读/输出 延迟 时间
获得/读 (写) 延迟 时间
t
LC
ns
40 —
100
—
地址/输出 延迟 时间
t
RD
ns
— 140
—
170
获得 宽度
t
AD
ns
— 330
—
400
读/数据 总线 floating 时间
t
LL
t
RDF
ns
70 —
100
—
读 (写)/获得 延迟 时间
t
CL
ns
080
0
100
读 (写) 宽度
t
CC
ns
20 —
20
—
数据 在/写 建制 时间
t
DW
ns
200 —
250
—
写/数据-在 支撑 时间
t
WD
ns
100 —
150
—
恢复 时间
t
RV
ns
25 —
0
—
写/端口 输出 延迟 时间
t
WP
ns
200 —
300
—
t
PR
ns
— 300
—
400
端口 输入/读 建制 时间 加载 capaci-
tance: 150 pf
t
RP
ns
读/端口 输入 支撑 时间
t
SBF
ns
50 —
10 —
70
—
50
—
strobe 宽度
strobe/缓存区 全部 延迟 时间
t
SS
ns
— 300
—
400
strobe/缓存区 empty 延迟 时间
t
RBE
ns
150 —
200
—
strobe/中断-在 延迟 时间
t
SI
ns
— 300
—
400
t
RDI
ns
— 300
—
400
读/中断-止 延迟 时间
端口 输入/strobe 建制 时间
t
PSS
ns
— 300
—
400
strobe/端口-输入 支撑 时间
t
PHS
ns
20 —
50
—
strobe/缓存区-empty 延迟 时间
t
SBE
ns
100 —
120
—
写/缓存区-全部 延迟 时间
t
WBF
ns
— 300
—
400
t
WI
ns
— 300
—
400
写/中断-止 延迟 时间
ns
时间 输出 延迟 时间 低
t
TL
ns
— 300
—
400
时间 输出 延迟 时间 高
t
TH
ns
— 300
—
400
t
RDE
ns
— 300
—
400
读/数据 buse 使能 延迟 时间
计时器 循环 时间
t
CYC
ns
10 —
10
—
t
r
,
t
f
ns
320 —
320
—
计时器 输入 上升 和 下降 时间
计时器 输入 低 水平的 时间
t
1
ns
—80
—
80
t
2
ns
40 —
80
—
计时器 输入 高 水平的 时间
写 至 计时器-在
为 写 这个 开始 counting
t
WT
ns
70 —
120
—
t
TW
ns
200 —
200
—
计时器-在 至 写
为 写 这个 开始 counting
ns
0—
0
—
便条: timings 是 量过的 wth v
L
= 0.8 v 和 v
H
= 2.2 v 为 两个都 输入 和 输出.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

4/19 ¡ 半导体 msm81c55-5rs/gs/js 交流特性参数标识单位 Remarks 最大值.最小值. V CC = 4.75 v 至 5.25 v, ta = –40 至 +70°c 80c85ah 5mhz i/f 最大值最小值 V CC = 4.5 v 至 5.5 v, ta = –40 至 +80°c 80c85ah 3mhz i/f 地址/获得建制时间 t AL ns 获得/地址 holt 时间 t LA ns 37 — 30 — 50 — 30 — 读/输出延迟时间获得/读 (写) 延迟时间 t LC ns 40 — 100 — 地址/输出延迟时间 t RD ns — 140 — 170 获得宽度 t AD ns — 330 — 400 读/数据总线 floating 时间 t LL t RDF ns 70 — 100 — 读 (写)/获得延迟时间 t CL ns 080 0 100 读 (写) 宽度 t CC ns 20 — 20 — 数据在/写建制时间 t DW ns 200 — 250 — 写/数据-在支撑时间 t WD ns 100 — 150 — 恢复时间 t RV ns 25 — 0 — 写/端口输出延迟时间 t WP ns 200 — 300 — t PR ns — 300 — 400 端口输入/读建制时间加载 capaci- tance: 150 pf t RP ns 读/端口输入支撑时间 t SBF ns 50 — 10 — 70 — 50 — strobe 宽度 strobe/缓存区全部延迟时间 t SS ns — 300 — 400 strobe/缓存区 empty 延迟时间 t RBE ns 150 — 200 — strobe/中断-在延迟时间 t SI ns — 300 — 400 t RDI ns — 300 — 400 读/中断-止延迟时间端口输入/strobe 建制时间 t PSS ns — 300 — 400 strobe/端口-输入支撑时间 t PHS ns 20 — 50 — strobe/缓存区-empty 延迟时间 t SBE ns 100 — 120 — 写/缓存区-全部延迟时间 t WBF ns — 300 — 400 t WI ns — 300 — 400 写/中断-止延迟时间 ns 时间输出延迟时间低 t TL ns — 300 — 400 时间输出延迟时间高 t TH ns — 300 — 400 t RDE ns — 300 — 400 读/数据 buse 使能延迟时间计时器循环时间 t CYC ns 10 — 10 — t r , t f ns 320 — 320 — 计时器输入上升和下降时间计时器输入低水平的时间 t 1 ns —80 — 80 t 2 ns 40 — 80 — 计时器输入高水平的时间写至计时器-在为写这个开始 counting t WT ns 70 — 120 — t TW ns 200 — 200 — 计时器-在至写为写这个开始 counting ns 0— 0 — 便条: timings 是量过的 wth v L = 0.8 v 和 v H = 2.2 v 为两个都输入和输出.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com