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资料编号:875116
 
资料名称:NTD40N03RG
 
文件大小: 65K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTD40N03R
http://onsemi.com
4
100
10
1
8
6
4
2
0
20
18
16
10
6
0
10 10
1000
155020
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压
(伏特)
c, 电容 (pf)
800
600
400
200
0
5
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
08642
1 10 100 0 0.40.2 0.8 1.0
I
D
= 10 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 v
V
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
4
2
0.6
Q
2
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 10 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 0 v
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
V
GS
V
DS
Q
1
Q
T
T
J
= 25
°
C
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1 1 100
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
1
100
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
10
10
单独的 脉冲波
V
GS
= 20 v
T
C
= 25
°
C
1 ms
100
s
10 ms
直流
8
14
12
10
s
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