AT28C16
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设备 运作
读:
这 at28c16 是 accessed 像 一个 静态的 内存.
当 ce
和 oe是 低 和 我们是 高, 这 数据 贮存
在 这 记忆 location 决定 用 这 地址 管脚 是
asserted 在 这 输出. 这 输出 是 放 在 一个 高
阻抗 状态 whenever ce
或者 oe 是 高. 这个 双 线条
控制 给 designers 增加 flexibility 在 阻止
总线 contention.
字节 写:
writing 数据 在 这 at28c16 是 类似的 至
writing 在 一个 静态的 内存. 一个 低 脉冲波 在 这 我们
或者 ce
输入 和 oe高 和 ce或者 我们低 (各自) ini-
tiates 一个 字节 写. 这 地址 location 是 latched 在 这
last 下落 边缘 的 我们
(或者 ce); 这 新 数据 是 latched 在
这 第一 rising 边缘. 内部, 这 设备 执行 一个 自-
clear 在之前 写. once 一个 字节 写 有 被 started, 它
将 automatically 时间 它自己 至 completion. once 一个 pro-
gramming 运作 有 被 initiated 和 为 这 持续时间
的 t
WC
, 一个 读 运作 将 effectively 是 一个 polling opera-
tion.
快 字节 写:
这 at28c16e 提供 一个 字节 写
时间 的 200
µ
s 最大. 这个 特性 准许 这 全部
设备 至 是 rewritten 在 0.4 秒.
数据
polling:
这 at28c16 提供 数据
POLLING
至 信号 这 completion 的 一个 写 循环. 在 一个 写
循环, 一个 attempted 读 的 这 数据 正在 写 结果 在
这 complement 的 那 数据 为 i/o
7
(这 其它 输出 是
indeterminate). 当 这 写 循环 是 finished, 真实 数据
呈现 在 所有 输出.
写 保护:
inadvertent 写 至 这 设备
是 保护 相反 在 这 下列的 方法: (一个) v
CC
sense—if v
CC
是 在下 3.8v (典型) 这 写 函数 是
inhibited; (b) V
CC
电源 在 delay—once v
CC
有 reached
3.8v 这 设备 将 automatically 时间 输出 5 ms (典型)
在之前 准许 一个 字节 写; 和 (c) 写 inhibit—holding
任何 一个 的 oe
低, ce高 或者 我们 高 inhibits 字节 写
循环.
碎片 clear
: 这 内容 的 这 全部 记忆 的 这
at28c16 将 是 设置 至 这 高 状态 用 这 碎片 clear
运作. 用 设置 ce
低 和 oe至 12 伏特, 这 碎片 是
cleared 当 一个 10 msec 低 脉冲波 是 应用 至 我们
.
设备 identification:
一个 extra 32 字节 的
可擦可编程只读存储器 记忆 是 有 至 这 用户 为 设备 iden-
tification. 用 raising a9 至 12
±
0.5v 和 使用 地址
locations 7e0h 至 7ffh 这 额外的 字节 将 是 写
至 或者 读 从 在 这 一样 manner 作 这 regular 记忆
排列.
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