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资料编号:875727
 
资料名称:OM6005
 
文件大小: 45K
   
说明
 
介绍:
POWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATED JEDEC TO-258AA PACKAGE
 
 


: 点此下载
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1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3.1 - 76
om6005sc - om6108sc
3.1
电的 特性:
(
T
C
= 25°c 除非 否则 指出)
电的 特性:
(
T
C
= 25°c 除非 否则 指出)
静态的 p/n om6105sc/om6005sc (100v) 静态的 p/n om6106sc/om6006sc (200v)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BV
DSS
流-源 损坏
100 V
V
GS
= 0, BV
DSS
流-源 损坏
200 V
V
GS
= 0,
电压 I
D
= 250
m
一个 电压 I
D
= 250
m
一个
V
gs(th)
门-门槛 电压 2.0 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
m
AV
gs(th)
门-门槛 电压 2.0 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
m
一个
I
GSS
门-身体 泄漏 (om6105) ± 500 nA V
GS
= ± 12.8 v I
GSS
门-身体 泄漏 (om6106) ± 500 nA V
GS
= ± 12.8 v
I
GSS
门-身体 泄漏 (om6005) ± 100 nA V
GS
= ± 20 v I
GSS
门-身体 泄漏 (om6006) ± 100 nA V
GS
= ± 20 v
I
DSS
零 门 电压 流 0.1 0.25 毫安 V
DS
= 最大值 rat., v
GS
= 0 I
DSS
零 门 电压 流 0.1 0.25 毫安 V
DS
= 最大值 rat., v
GS
= 0
电流
0.2 1.0 毫安
V
DS
= 0.8 最大值 rat., v
GS
= 0, 电流
0.2 1.0 毫安
V
DS
= 0.8 最大值 rat., v
GS
= 0,
T
C
= 125° c T
C
= 125° c
I
d(在)
在-状态 流 电流
1
35 一个 V
DS
2 v
ds(在)
, v
GS
= 10 v I
d(在)
在-状态 流 电流
1
30 一个 V
DS
2 v
ds(在)
, v
GS
= 10 v
V
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
1.1 1.3 V V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个
V
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
1.36 1.52 V V
GS
= 10 v, i
D
= 16 一个
电压
1
电压
1
R
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
0.55 0.65 V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个
R
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
.085 .095 V
GS
= 10 v, i
D
= 16 一个
阻抗
1
阻抗
1
R
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
.09 0.11
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个, R
ds(在)
静态的 流-源 在-状态
0.14 0.17
V
GS
= 10 v, i
D
= 16 一个,
阻抗
1
T
C
= 125 C 阻抗
1
T
C
= 125 C
动态 动态
g
fs
向前 transductance
1
9.0 10 S(
W
) V
DS
2 v
ds(在)
, i
D
= 20 一个 g
fs
向前 transductance
1
10.0 12.5 S(
W
) V
DS
2 v
ds(在)
, i
D
= 16 一个
C
iss
输入 电容 2700 pF V
GS
= 0 C
iss
输入 电容 2400 pF V
GS
= 0
C
oss
输出 电容 1300 pF V
DS
= 25 v C
oss
输出 电容 600 pF V
DS
= 25 v
C
rss
反转 转移 电容 470 pF f = 1 mhz C
rss
反转 转移 电容 250 pF f = 1 mhz
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 28 ns V
DD
= 30 v, i
D
@
20 一个 t
d(在)
转变-在 延迟 时间 25 ns V
DD
= 75 v, i
D
@
16 一个
t
r
上升 时间 45 ns R
g
= 5.0
W
, v
G
= 10v t
r
上升 时间 60 ns R
g
= 5.0
W
,v
GS
= 10v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 100 ns t
d(止)
转变-止 延迟 时间 85 ns
t
f
下降 时间 50 ns t
f
下降 时间 38 ns
身体-流 二极管 比率 和 特性 身体-流 二极管 比率 和 特性
I
S
持续的 源 电流
- 40 一个
修改 mospower
I
S
持续的 源 电流
- 30 一个
修改 mospower
(身体 二极管)
标识 表明
(身体 二极管)
标识 表明
I
SM
源 电流
1
- 160 一个
这 integral p-n
I
SM
源 电流
1
- 120 一个
这 integral p-n
(身体 二极管)
接合面 整流器.
(身体 二极管)
接合面 整流器.
V
SD
二极管 向前 电压
1
- 2.5 V T
C
= 25 c, i
S
= -40 一个, v
GS
= 0 V
SD
二极管 向前 电压
1
- 2 V T
C
= 25 c, i
S
= -30 一个, v
GS
= 0
t
rr
反转 恢复 时间 400 ns
T
J
= 150 c, i
F
= i
S
,
t
rr
反转 恢复 时间 350 ns
T
J
= 150 c, i
F
= i
S
,
dl
F
/ds = 100 一个/
m
s dl
F
/ds = 100 一个/
m
s
1 脉冲波 测试:
脉冲波 宽度 300
m
秒, 职责 循环
2%.
1 脉冲波 测试:
脉冲波 宽度 300
m
秒, 职责 循环
2%.
G
D
S
G
D
S
(
W
)
(
W
)
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