slus545b −十一月 2002 − 修订 十一月 2004
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应用 信息
这 电路 显示 在 图示 3 是 使用 至 测试 这 电流 源 能力 和 这 输出 clamped 至 周围 5 v
和 一个string 的 齐纳 二极管. 这 ucc27423 是 建立 至 源 4.8 一个 在 v
DD
= 15 v 和 3.7 一个 在 v
DD
= 12 v.
UDG−01066
UCC27423
地
1
2
3
4
INB
INA
7
6
5
8
OUTA
VDD
OUTB
输入
1
µ
F
CER
100
µ
F
al el
D
肖特基
VDD
C2
1
µ
F
V
SNS
R
SNS
0.1
Ω
C3
100
µ
F
10
Ω
+
D
ADJ
5.5 v
ENBB
ENBA
图示 4.
它 应当 是 指出 那 这 电流 下沉 能力 是 slightly stronger 比 这 电流 源 能力 在 更小的
vdd. 这个 是 预定的 至 这 differences 在 这 结构 的 这 双极-场效应晶体管 电源 输出 部分, 在哪里 这
电流 源 是 一个 p-频道 场效应晶体管 和 这 电流 下沉 有 一个 n-频道 场效应晶体管.
在 一个 大 majority 的 产品 它 是 advantageous 那 这 转变-止 能力 的 一个 驱动器 是 stronger 比 这
转变-在能力. 这个helps 至 确保 那 这 场效应晶体管 是 使保持 止 在 一般 电源 供应 过往旅客
这个 将 转变 这 设备 后面的 在.
并行的 输出
这 一个 和 b 驱动器 将 是 联合的 在 一个 单独的 驱动器 用 连接 这 ina/inb 输入 一起 和 这
outa/outb 输出 一起. 然后, 一个 单独的 信号 能 控制 这 paralleled 结合体 作 显示 在
图示 4.
UDG−01067
UCC27423
地
1
2
3
4
INB
INA
7
6
5
8
OUTA
VDD
OUTB
输入
1
µ
F
CER
2.2
µ
F
VDD
ENBB
ENBA
C
加载
图示 5.
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