数据 薄板
16 megabit flashbank 记忆
SST38VF166
3
©2001 硅 存储 技术, 公司 327-3 2/01 S71065
subsequent 总线 循环, 当 we# 是 低, 在 这 sdp com-
mand sequence, 这 设备 将 abort 这 attempted sdp
command 和 revert 至 这 读 模式. 便条, 这 sdp
command sequence 将 是 suspended 用 带去 we#
高. 一个 不同的 be# 将 然后 是 搏动 至 读 从
也 的 这 banks 不 involved 和 这 sdp command
sequence.
为 这 目的 的 simplification, 这 下列的 descrip-
tions 将 假设 we# 是 toggled 至 initiate 一个 擦掉, pro-
gram, 或者 写. toggling 这 适用 be# 将 accomplish
这 一样 函数. 便条, 那里 是 独立的 定时 dia-
grams 至 illustrate 两个都 we# 和 be# 控制 程序
或者 写 commands.
flash bank 文字-程序
这 flash bank 文字-程序 运作 组成 的 issu-
ing 这 sdp 文字-程序 command, initiated 用 forcing
be#1 或者 be#2 和 we# 低, 和 oe# 高. 这 words 至
是 编写程序 必须 是 在 这 erased 状态, 较早的 至 pro-
gramming. 这 文字-程序 command programs 这
desired 地址 文字-用-文字. 在 这 文字-pro-
gram 循环, 这 地址 是 latched 用 这 下落 边缘 的
we#. 这 数据 是 latched 用 这 rising 边缘 的 we#. 看
图示 5 或者 7 为 we# 或者 6 和 8 为 be# 控制 文字-
程序 循环 定时 波形, 表格 6 为 这 command
sequence, 和 图示 49 为 一个 flowchart.
在 这 flash bank 擦掉 或者 程序 运作, 这
仅有的 有效的 读 从 那 bank 是 data# polling 和 tog-
gle 位. 这 其它 flash bank 或者 这 e
2
bank 将 是 读.
这 指定 bank-, 块-, 或者 sector-擦掉 时间 是 这
仅有的 时间 必需的 至 擦掉. 那里 是 非 preprogramming
或者 其它 commands 或者 循环 必需的 也 内部 或者
externally 至 擦掉 这 bank, 块, 或者 sector.
E
2
bank 文字-写
这 e
2
bank 文字-写 运作 组成 的 issuing 这
sdp command, initiated 用 forcing be#3 和 we# 低,
和 oe# 高; followed 用 这 文字 加载 循环 至 这
sst38vf166. 这 internally 控制 写 循环 stores
这 数据 承载 在 这 文字 缓存区 在 这 e
2
bank. 这
地址 选择 是 然后 erased 和 编写程序, 用 inter-
nally 控制 信号. 在 这 文字 加载 循环, 这
地址 是 latched 用 这 下落 边缘 的 we#. 这 数据 是
latched 用 这 rising 边缘 的 we#. 这 内部的 写 循环
是 initiated 在 这 rising 边缘 的 we#. 这 写 循环, once
initiated, 将 continue 至 completion, 典型地 在里面 7 ms.
看 图示 9 为 we# 或者 10 为 be# 控制 写 循环
定时 波形, 表格 7 为 这 command sequence, 和
图示 48 为 一个 flowchart.
这 写 运作 有 二 函数的 循环: 这 文字
加载 循环 和 这 内部的 写 循环. 这 文字 加载
循环 组成 的 加载 1 文字 的 数据 在 这 文字 缓存区
在 这 completion 的 这 sdp sequence. 这 内部的 写
循环 组成 的 这 写 计时器 运作, 至 擦掉 和
程序 这 选择 地址. 便条, 这 文字 做 不
有 至 是 erased 较早的 至 writing. 在 这 写 opera-
tion, 这 仅有的 有效的 读 是 data# polling 和 toggle 位
从 这 e
2
bank 或者 正常的 读 从 也 的 这 flash
banks.
E
2
bank 文字-程序
这 e
2
bank 文字-程序 运作 组成 的 issuing
这 sdp 文字-程序 command, initiated 用 forcing
be#3 和 we# 低 和 oe# 高. 这 文字-程序
command programs 这 desired 地址 文字-用-文字.
这 words 至 是 编写程序 必须 是 在 这 erased 状态,
较早的 至 程序编制, 不像 这 文字-写 运作.
在 这 文字-程序 循环, 这 地址 是 latched
用 这 下落 边缘 的 we#. 这 数据 是 latched 用 这 rising
边缘 的 we#. 看 图示 11 为 we# 或者 12 为 be#3 con-
trolled 程序 循环 定时 波形, 表格 7 为 这
command sequence 和 图示 50 为 一个 flowchart.
在 这 e
2
bank 擦掉 或者 程序 运作, 这 仅有的
有效的 读 从 这 bank 是 data# polling 和 toggle 位.
也 flash bank 将 是 读.
这 指定 bank- 或者 sector-擦掉 时间 是 这 仅有的 时间
必需的 至 擦掉. 那里 是 非 preprogramming 或者 其它
commands 或者 循环 必需的 也 内部 或者 externally
至 擦掉 这 bank 或者 sector.
擦掉 行动
这 bank-擦掉 是 initiated 用 一个 明确的 六-文字 加载
sequence 看 tables 6 和 7. 一个 bank-擦掉 将 典型地
是 较少 比 70 ms.
一个 alternative 至 这 bank-擦掉 在 这 flash bank 是 这
块-擦掉 或者 sector-擦掉. 这 块-擦掉 将 擦掉
一个 全部 块 (32 kwords) 在 典型地 15 ms. 这 sector-
擦掉 将 擦掉 一个 全部 sector (1024 words) 在 典型地
15 ms. 这 sector-擦掉 提供 一个 意思 至 改变 一个 sin-
gle sector 使用 这 sector-擦掉 和 文字-程序
模式. 这 sector-擦掉 是 initiated 用 一个 明确的 六-文字
加载 sequence, 看 表格 6.
这 e
2
bank 将 也 使用 一个 sector-擦掉, instead 的
bank-擦掉. 一个 e
2
bank sector 组成 的 32 words 那
将 典型地 擦掉 在 7 ms. 这 sector-擦掉 是 initiated 用
一个 明确的 六-文字 加载 sequence, 看 表格 7. sector- 或者
bank-擦掉 和 文字-程序 是 一个 alternative 至 文字-
写 作 一个 意思 至 改变 这 e
2
bank.
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