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资料编号:889290
 
资料名称:STV80NE03L-06
 
文件大小: 91K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 30V - 0.005ohm - 80A - PowerSO-10 STripFET MOSFET
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
Rthj-amb
R
thc-下沉
T
l
热的 阻抗 Junction-情况 最大值
热的 阻抗 Junction-包围的 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 Typ
Maximum 含铅的 温度 F或者 焊接 目的
1
62.5
0.5
300
o
c/w
oc/W
o
c/w
o
C
AVALANCHE 特性
Symbol 参数 最大值 单位
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 不-repetitive
(pulse width limed T
j
最大值,
δ
<1%)
80 一个
E
单独的 脉冲波 一个valanche 活力
(开始 T
j
=25
o
c, I
D
=I
AR
,v
DD
=15v)
600 mJ
电的 特性
(t
J=
- 40 150
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-source
损坏 电压
I
D
=250
µ
AV
GS
=0
I
D
=250
µ
AV
GS
=0 T
c
=25
o
C
27
30
V
I
DSS
电压
电流 (v
GS
=0)
V
DS
=MaxRating T
c
=25
o
C
V
DS
=MaxRating
1
50
µ
一个
µ
一个
I
GSS
Gate-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
=
±
20 V
±
100 nA
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
= 250
µ
一个
V
DS
=V
GS
I
D
= 250
µ
J
=25
o
C
0.6
1.7
3.0
2.5
V
R
ds(在)
静态的 流-s我们的ce
阻抗
V
GS
=10V I
D
=40A
V
GS
=5V I
D
=40A
V
GS
=10V I
D
=40A T
J
=25
o
C
V
GS
=5V I
D
=40A T
J
=25
o
C
0.005
0.012
0.018
0.006
0.009
I
d(on)
状态 电流 V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
V
GS
=10V
40 一个
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
I
D
=40 一个 20 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 Capacitance
反转 转移
电容
V
DS
=25V f=1MHz V
GS
= 0 6500
1500
500
8700
2000
700
pF
pF
pF
stv80ne03l-06
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