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资料编号:889984
 
资料名称:TC551001BFL-70L
 
文件大小: 584K
   
说明
 
介绍:
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM
 
 


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SR01020795 静态的 内存 tc551001bpl/bfl/bftl/btrl-70l/85l
toshiba america 电子的 组件, inc
.
3
* -3.0v 在 脉冲波 宽度 的 50ns 最大值
直流 和 运行 特性 (ta = 0 ~ 70ºc, v
DD
= 5v
±
10%)
便条: (1) 在 备用物品 模式 和 ce1
V
DD
- 0.2v, 这些 规格 限制 是 有保证的 下面 这 情况 的 ce2
V
DD
- 0.2v 或者 ce2
0.2v.
便条: 这个 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 100% 测试.
直流 推荐 运行 情况
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压
4.5 5.0 5.5
V
V
IH
输入 高 电压
2.2 V
DD
+ 0.3
V
IL
输入 低 电压
-0.3* 0.8
V
DH
数据 保持 供应 电压
2.0 5.5
标识
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
V
= 0 ~ v
DD
±
1.0
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流
ce1 = v
IH
或者 ce2 = v
IL
或者 r/w = v
IL
或者
OE
= v
ih,
V
输出
= 0 ~ v
DD
±
1.0
µ
一个
I
OH
输出 高 电流
V
OH
= 2.4v
-1.0 毫安
I
OL
输出 低 电流
V
OL
= 0.4v
4.0 毫安
I
DDO1
运行 电流
ce1 = v
IL
和 ce2 = v
IH
和 r/w = v
ih,
I
输出
= 0ma
其它 输入 = v
IH
/v
IL
t
循环
最小值
70
毫安
1
µ
s 20
I
DDO2
CE1
= 0.2v 和
ce2 = v
DD
- 0.2v
r/w = v
DD
- 0.2v
I
输出
= 0ma
其它 输入
= v
DD
- 0.2v/0.2v
t
循环
最小值
60
1
µ
s 10
I
DDS1
备用物品 电流
ce1 = v
IH
或者 ce2 = v
IL
3 毫安
I
DDS2
(1)
CE1
= v
DD
- 0.2v 或者
ce2 = 0.2v
V
DD
= 2.0v ~ 5.5v
ta = 0 ~ 70
°
C 30
µ
一个
ta = 25
°
C 2 4
电容 (ta = 25ºc, f = 1mhz)
标识
参数 测试 情况 最大值 单位
C
输入 电容
V
= 地
10
pF
C
输出
输出 电容
V
输出
= 地
10
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