6.42
idt71v416s, idt71v416l, 3.3v cmos 静态的 内存
4 meg (256k x 16-位) 商业的 和 工业的 温度 范围
5
71v416s/l10
(2)
71v416s/l12
71v416s/l15
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
读 循环
t
RC
读循环时间 10
____
12
____
15
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
10
____
12
____
15 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间
____
10
____
12
____
15 ns
t
CL Z
(1)
碎片 选择 低 至 输出 在 低-z 4
____
4
____
4
____
ns
t
CHZ
(1)
碎片 选择 高 至 输出 在 高-z
____
5
____
6
____
7ns
t
OE
Output enableLow 至Output 有效的
____
5
____
6
____
7ns
t
OLZ
(1)
Output enableLow 至 output 在 low-z 0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output 使能High 至Output 在 high-z
____
5
____
6
____
7ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 4
____
4
____
4
____
ns
t
是
ByteEnableLow 至Output 有效的
____
5
____
6
____
7ns
t
BLZ
(1)
用teEnableLow至Output 在 low-z 0
____
0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1)
字节 使能 高 至 输出 在 高-z
____
5
____
6
____
7ns
写 循环
t
WC
写 循环 时间 10
____
12
____
15
____
ns
t
AW
地址 有效的 至终止的写 8
____
8
____
10
____
ns
t
CW
碎片 选择 低 至终止的写 8
____
8
____
10
____
ns
t
BW
字节使能 低 至终止的写 8
____
8
____
10
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
地址 支撑 从终止的写 0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 8
____
8
____
10
____
ns
t
DW
数据 有效的 至 终止的写 5
____
6
____
7
____
ns
t
DH
数据 hold时间 0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
写EnableHigh至 output 在 low-z 3
____
3
____
3
____
ns
t
WHZ
(1)
写EnableLow 至Output 在 high-z
____
6
____
7
____
7ns
3624tbl 10
定时 waveform 的读 循环 非. 1
(1,2,3)
交流 电的 特性
(v
DD
= 最小值 至 最大值., 商业的 和 工业的 温度 范围)
便条:
1. 这个 参数 是 有保证的 和 这 交流 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
2. 低 电源 10ns (l10) 速 0ºc 至 +70ºc 温度 范围 仅有的.
数据
输出
地址
3624 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
数据
输出
有效的
PREVIOUS 数据
输出
有效的
t
OH
注释:
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择,
CS
是 低.
3.
OE
,
BHE
, 和
BLE
是 低.
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