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资料编号:90084
 
资料名称:CY62256LL-70SNC
 
文件大小: 394.78K
   
说明
 
介绍:
256K (32K x 8) Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY62256
文档 #: 38-05248 rev. *c 页 4 的 12
交流 测试 负载 和 波形
数据 保持 特性
参数 描述 情况
[6]
最小值 典型值
[2]
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 2.0 V
I
CCDR
数据 保持 电流 L V
CC
= 3.0v, ce> v
CC
0.3v,
V
> v
CC
0.3v, 或者 v
<0.3v
250
µ
一个
LL 0.1 5
µ
一个
ll - ind’l 0.1 10
µ
一个
ll - 自动 0.1 10
µ
一个
t
CDR
[5]
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 0 ns
t
R
[5]
运作 恢复 时间 t
RC
ns
数据 保持 波形
注释:
6. 非 输入 将 超过 v
CC
+ 0.5v.
3.0v
5V
输出
r1 1800
R2
990
100 pF
包含
jig 和
SCOPE
90%
10%
90%
10%
<5ns
<5ns
5V
输出
r1 1800
R2
990
5pF
包含
jig 和
SCOPE
(一个) (b)
输出 1.77v
相等的 至: THÉVENIN 相等的
所有 输入 脉冲
639
3.0v3.0v
t
CDR
V
DR
> 2V
数据 保持 模式
t
R
CE
V
CC
热的 阻抗
描述 测试 情况 标识 插件 SOIC TSOP RTSOP 单位
热的 阻抗
(接合面 至 包围的)
[5]
安静的 空气, 焊接 在 一个 4.25 x 1.125
inch, 4-layer 打印 电路 板
Θ
JA
75.61 76.56 93.89 93.89
°
c/w
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
[5]
Θ
JC
43.12 36.07 24.64 24.64
°
c/w
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