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资料编号:90223
 
资料名称:MMBTA06LT1
 
文件大小: 51.72K
   
说明
 
介绍:
Driver Transistors(NPN Silicon)
 
 


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2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (便条 3)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) MMBTA05
MMBTA06
V
(br)ceo
60
80
Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 100
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 60 vdc, i
B
= 0)
I
CES
0.1
模数转换器
集电级 截止 电流
(v
CB
= 60 vdc, i
E
= 0) MMBTA05
(v
CB
= 80 vdc, i
E
= 0) MMBTA06
I
CBO
0.1
0.1
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 100 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
h
FE
100
100
collector–emitter 饱和 电压
(i
C
= 100 madc, i
B
= 10 madc)
V
ce(sat)
0.25 Vdc
base–emitter 在 电压
(i
C
= 100 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
V
是(在)
1.2 Vdc
small–signal 特性
current–gain – 带宽 产品 (便条 4)
(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 2.0 v, f = 100 mhz)
f
T
100 MHz
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2.0%.
4. f
T
是 定义 作 这 频率 在 这个 |h
fe
| extrapolates 至 统一体.
图示 1. 切换 时间 测试 电路
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

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


*total 调往 电容 的 测试 jig 和 连接器
为 pnp 测试 电路, 反转 所有 电压 polarities
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