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资料编号:90228
 
资料名称:MMBT3906LT1
 
文件大小: 97.26K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistor(PNP Silicon)
 
 


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MMBT3906LT1
http://onsemi.com
5
典型 静态的 特性
图示 13. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h , 直流 电流 增益 (normalized)
0.5 2.0 3.0 10 50
70
0.2 0.3
0.1
100
1.00.7
200
30205.0 7.0
FE
V
CE
= 1.0 v
T
J
= +125
°
C
+25
°
C
−55
°
C
图示 14. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
v , 集电级 发射级 电压 (伏特)
0.5 2.0 3.0 100.2 0.3
0
1.00.7 5.0 7.0
CE
I
C
= 1.0 毫安
T
J
= 25
°
C
0.070.050.030.020.01
10 毫安 30 毫安 100 毫安
图示 15. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
图示 16. 温度 coefficients
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
1.0 2.0 5.0 10 20
50
0
100
−0.5
0
0.5
1.0
0 60 80 120 140 160
180
20 40
100
200
−1.0
−1.5
−2.0
200
T
J
= 25
°
C V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
@ v
CE
= 1.0 v
+25
°
c 至 +125
°
C
−55
°
c 至 +25
°
C
+25
°
c 至 +125
°
C
−55
°
c 至 +25
°
C
VC
为 v
ce(sat)
VB
为 v
是(sat)
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
V
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