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VN750 / VN750S / vn750-b5
1
地 保护 网络 相反
反转 电池
Solution 1: 电阻 在 这 地面 线条 (r
地
仅有的). 这个
能 是 使用 和 任何 类型 的 加载.
这 下列的 是 一个 indication 在 如何 至 维度 这
R
地
电阻.
1) R
地
≤
600mV / (i
s(在)最大值
).
2) R
地
≥
(−
V
CC
) / (-i
地
)
where -i
地
是 这 直流 反转 地面 管脚 电流 和 能
是 建立 在 这 绝对 最大 rating section 的 这
设备的 数据手册.
Power Dissipation 在 R
地
(当 V
CC
<0: 在 反转
电池 situations) 是:
P
D
= (-v
CC
)
2
/r
地
这个 电阻 能 是 shared 处在 一些 不同的
hsd. 请 便条 那 这 值 的 这个 电阻 应当 是
计算 和 formula (1) where I
s(在)最大值
变为 这
总 的 这 最大 在-状态 currents 的 这 不同的
设备.
Please 便条 那 如果 这 微处理器 地面 是 不
一般 和 这 设备 地面 然后 这 R
地
将
生产 一个 变换 (i
s(在)最大值
*R
地
) 在 这 输入 门槛
和 这 状态 输出 值. 这个 变换 将 相异
取决于 在 许多 设备 是 在 在 这 情况 的 一些
高 一侧 驱动器 分享 这 same R
地
.
如果 这 计算 电源 消耗 leads 至 一个 大 电阻
或者 一些 设备s 有 至 share 这 一样 电阻 然后
这 ST suggests 至 utilize 解决方案 2 (看 在下).
Solution 2: 一个 二极管 (d
地
) 在 这 ground 线条.
一个 电阻 (r
地
=1k
Ω)
应当 是 inserted 在 并行的 至
D
地
如果 这 设备 将 是 驱动 一个 inductive 加载.
这个 小 信号 二极管 c一个 是 safely shared 处在
一些 不同的 hsd. 也 在 这个 情况, 这 存在 的
这 ground 网络 将 produce 一个 变换 (
j
600mv) 在 这
输入 门槛 和 这 status 输出 值 如果 这
微处理器 地面 是 不 一般 和 这 设备
地面. 这个 变换 将 不 vary 如果 更多 比 一个 HSD
shares 这 一样 二极管/电阻 网络.
加载 丢弃 保护
D
ld
是 需要 (transil 或者 mov) 如果 这 加载 丢弃 顶峰
电压 超过 V
CC
最大值 直流 比率. 这 一样 应用 如果
这 设备 将 是 主题 至 过往旅客 在 这 V
CC
线条 那
是 更好 比 这 ones 显示 在 这 ISO t/r 7637/1
表格.
µ
C i/os 保护:
如果 一个 地面 保护 网络 是 使用 和 负的
过往旅客 是 呈现 在 这 V
CC
线条, 这 控制 管脚 将
是 牵引的 负的. ST suggests 至 insert 一个 电阻 (r
prot
)
在 线条 至 阻止 这
µ
C i/os 管脚 至 获得-向上.
这 值 的 这些 电阻器 是 一个 compromise 在 这
泄漏 current 的
µ
C 和 这 current required 用 这
HSD i/os (输入 水平 兼容性) 和 这 获得-向上 限制
的
µ
C i/os.
-v
CCpeak
/i
latchup
≤
R
prot
≤
(v
OH
µ
C
-v
IH
-v
地
)/ I
IHmax
计算 例子:
为 V
CCpeak
= - 100V 和 I
latchup
≥
20ma; V
OH
µ
C
≥
4.5v
5k
Ω
≤
R
prot
≤
65k
Ω
.
推荐 R
prot
值 是 10k
Ω.
1
应用 SCHEMATIC
V
CC
地
输出
D
地
R
地
D
ld
µ
C
+5V
R
prot
V
地
状态
输入
+5V
R
prot
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