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硅 mos fets (小 信号)
P
D
Ta I
D
V
DS
I
D
V
GS
| y
fs
|
V
GS
C
iss
, c
oss
V
DS
R
ds(在)
V
GS
V
在
I
O
2SK665
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚C
)
容许的 电源 消耗 p
D
(
mW
)
0108264
0
120
100
80
60
40
20
Ta=25˚C
5.5v
5.0v
4.0v
3.0v
4.5v
3.5v
V
GS
=6.0v
流 至 源 电压 v
DS
(
V
)
流 电流 i
D
(
毫安
)
0108264
0
120
100
80
60
40
20
V
DS
=5V
Ta=–25˚C
25˚C
75˚C
门 至 源 电压 v
GS
(
V
)
流 电流 i
D
(
毫安
)
0108264
0
50
40
30
20
10
V
DS
=5V
Ta=25˚C
门 至 源 电压 v
GS
(
V
)
向前 转移 admittance |y
fs
|
(
mS
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
12
10
8
6
4
2
V
GS
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
C
iss
C
oss
流 至 源 电压 v
DS
(
V
)
输入 电容
(
一般 源
)
,
输出 电容
(
一般 源
)
C
iss
,c
oss
(
pF
)
0108264
0
120
100
80
60
40
20
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
I
D
=20mA
门 至 源 电压 v
GS
(
V
)
流 至 源 在-阻抗 r
ds(在)
(
Ω
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
O
=1V
Ta=25˚C
输出 电流 i
O
(
毫安
)
输入 电压 v
在
(
V
)
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