1N5261B_集成电路资料查询网

1n5221b...1n5267b
vishay telefunken
rev. 2, 06-8月-99 1 (4)
www.vishay.de
•
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85588
硅 z–diodes
特性
D
非常 sharp 反转 典型的
D
非常 高 稳固
D
低 反转 电流 水平的
D
V
Z
–tolerance
±
5%
产品
电压 stabilization
94 9367
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
电源 消耗
T
L
x
75
°
C
P
V
500 mW
Z–current I
Z
P
V
/v
Z
毫安
接合面 温度 T
j
200
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+200
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 l=9.5mm (3/8”), t
L
=constant R
thJA
300 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=200mA V
F
1.1 V

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1n5221b...1n5267b vishay telefunken rev. 2, 06-8月-99 1 (4) www.vishay.de • faxback +1-408-970-5600 文档号码 85588 硅 z–diodes 特性 D 非常 sharp 反转典型的 D 非常高稳固 D 低反转电流水平的 D V Z –tolerance ± 5% 产品电压 stabilization 94 9367 绝对最大比率 T j = 25 _ C 参数测试情况类型标识值单位电源消耗 T L x 75 ° C P V 500 mW Z–current I Z P V /v Z 毫安接合面温度 T j 200 ° C 存储温度范围 T stg –65...+200 ° C 最大热的阻抗 T j = 25 _ C 参数测试情况标识值单位接合面包围的 l=9.5mm (3/8”), t L =constant R thJA 300 k/w 电的特性 T j = 25 _ C 参数测试情况类型标识最小值 Typ 最大值单位向前电压 I F =200mA V F 1.1 V

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