6mbi75s-120
igbt modules
最大 比率 和 特性
绝对 最大 比率 (tc=25°c 除非 否则 指定)
Item
标识
集电级-发射级 电压
V
CES
门-发射级 电压 v
GES
集电级 持续的 tc=25°c i
C
电流 tc=80°c
1ms
tc=25°c i
C
脉冲波
Tc=80°C
-i
C
1ms -i
C
脉冲波
最大值 电源 消耗 (1 设备) p
C
运行 温度
T
j
存储 温度 t
stg
分开 电压 v
是
screw torque 挂载 *
1
比率
1200
±20
100
75
200
150
75
150
520
+150
-40 至 +125
交流 2500 (1min.)
3.5
单位
V
V
一个
一个
一个
一个
W
°C
°C
V
N·m
item 标识 特性 情况 单位
最小值 典型值 最大值
零 门 电压 集电级 电流
门-发射级 泄漏 电流
门-发射级 门槛 电压
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间
转变-止 时间
二极管 向前 在 电压
反转 恢复 时间
I
CES
I
GES
V
ge(th)
V
ce(sat)
C
ies
C
oes
C
res
t
在
t
r
t
r(i)
t
止
t
f
V
F
t
rr
– – 1.0
– – 0.2
5.5 7.2 8.5
– 2.3 2.6
– 2.8 –
– 9000 –
– 1875 –
– 1650 –
– 0.35 1.2
– 0.25 0.6
– 0.1 –
– 0.45 1.0
– 0.08 0.3
– 2.5 3.3
– 2.0 –
– – 0.35
V
GE
=0v, v
CE
=1200V
V
CE
=0v, v
GE
=±20V
V
CE
=20v, i
C
=75mA
tj=25°c v
GE
=15v, i
C
=75A
Tj=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
R
G
=16
Ω
tj=25°c i
F
=75a, v
GE
=0V
Tj=125°C
I
F
=75A
毫安
µA
V
V
pF
µs
V
µs
电的 特性 (tj=25°c 除非 否则 指定)
热的 阻抗 特性
item 标识 特性 情况 单位
最小值 典型值 最大值
rth(j-c)
热的 阻抗 rth(j-c)
rth(c-f)*
2
– – 0.24
– – 0.50
– 0.05 –
IGBT
FWD
这 根基 至 冷却 fin
°c/w
°c/w
°c/w
*
2
:
这个 是 这 值 这个 是 定义 挂载 在 这 额外的 冷却 fin 和 热的 复合
相等的 电路 图式
*
1 :
recommendable 值 : 2.5 至 3.5 n·m (m5)
21(p)
20(n)
1(gu)
2(eu)
3(gx)
5(gv)
6(ev)
19(u)
7(gy)
17(v) 15(w)
9(gw)
11(gz)
10(ew)
4(ex)
8(ey)
12(ez)
13(p)
14(n)
igbt 单元 ( s 序列)
1200v / 75a 6 在 一个-包装
特性
· 紧凑的 包装
· p.c.板 挂载
· 低 v
CE
(sat)
产品
· 反相器 为 发动机 驱动
· 交流 和 直流 伺服 驱动 放大器
· uninterruptible 电源 供应
· 工业的 machines, 此类 作 welding machines
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