2SC5343UF_集成电路资料查询网

kst-3033-004
2
2SC5343UF
绝对 最大 比率
Ta=25
°
C
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
60 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5 V
集电级 电流 I
C
150 毫安
集电级 消耗 P
C
200 mw
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
-55~150
°
C
电的 特性
Ta=25
°
C
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
I
C
=100
µ
一个, i
E
=0
60 - - V
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
I
C
=1ma, i
B
=0 50 - - v
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
I
E
=10
µ
一个, i
C
=0
5 - - V
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=60v, i
E
=0 - - 0.1
µ
一个
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=5v, i
C
=0 - - 0.1
µ
一个
直流 电流 增益
h
FE
*
V
CE
=6v, i
C
=2ma 70 - 700 -
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=100ma, i
B
=10ma - - 0.25 v
transistion 频率 f
T
V
CE
=10v, i
C
=1ma 80 - - mhz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz  - 2 3.5 pF
噪音 图示 NF
V
CE
=6v, i
C
=0.1ma,
f=1khz, rg=10k
Ω
- - 10 db
* : h
FE
分级 / o : 70 ~ 140, y : 120 ~ 240, g : 200 ~ 400, l : 300 ~ 700

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kst-3033-004 2 2SC5343UF 绝对最大比率 Ta=25 ° C 典型的标识比率单位集电级-根基电压 V CBO 60 V 集电级-发射级电压 V CEO 50 V 发射级-根基电压 V EBO 5 V 集电级电流 I C 150 毫安集电级消耗 P C 200 mw 接合面温度 T j 150 ° C 存储温度 T stg -55~150 ° C 电的特性 Ta=25 ° C 典型的标识测试情况最小值典型值最大值单位集电级-根基损坏电压 BV CBO I C =100 µ 一个, i E =0 60 - - V 集电级-发射级损坏电压 BV CEO I C =1ma, i B =0 50 - - v 发射级-根基损坏电压 BV EBO I E =10 µ 一个, i C =0 5 - - V 集电级截-止电流 I CBO V CB =60v, i E =0 - - 0.1 µ 一个发射级截-止电流 I EBO V EB =5v, i C =0 - - 0.1 µ 一个直流电流增益 h FE * V CE =6v, i C =2ma 70 - 700 - 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) I C =100ma, i B =10ma - - 0.25 v transistion 频率 f T V CE =10v, i C =1ma 80 - - mhz 集电级输出电容 C ob V CB =10v, i E =0, f=1mhz - 2 3.5 pF 噪音图示 NF V CE =6v, i C =0.1ma, f=1khz, rg=10k Ω - - 10 db * : h FE 分级 / o : 70 ~ 140, y : 120 ~ 240, g : 200 ~ 400, l : 300 ~ 700

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