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资料编号:908003
 
资料名称:2SK2315
 
文件大小: 38K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2SK2315
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压
4 8 12 16 20
1 一个
0.5 一个
i = 2 一个
D
脉冲波 测试
ta = 25 °c
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 状态 阻抗
vs. 流 电流
0.1
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.2 0.5 1 2 5 10
10 v
ta = 25 °c
脉冲波 测试
v = 3 v
GS
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40 0 40 80 120 160
情况 温度 tc (°c)
0
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
1 一个
0.5 一个
v = 10 v
GS
i = 2 一个
D
v = 3 v
GS
i = 2 一个
D
1 一个
0.5 一个
向前 转移 admittance |yfs| (s)
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance vs.
流 电流
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
DS
v = 10 v
脉冲波 测试
tc = –25 °c
25 °c
75 °c
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