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手机版
资料编号:908137
资料名称:
2SK3109
文件大小: 77K
说明
:
介绍
:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13332ej1v0ds00
3
2SK3109
典型 特性 (t
一个
= 25 °c)
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
10
20
30
25
5
0
搏动
10
15
20
30
35
0
V
GS
= 10 v
V
GS
= 30 v
40
50
0.01
0
0.1
1
10
412
0.001
100
V
DS
= 10 v
搏动
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
816
T
ch
= 125
˚C
75
˚C
25
˚C
-
25
˚C
门 至 源 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
V
gs(止)
- 门 至 源 截-止 电压 - v
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
毫安
−
50
0
15050
2.0
2.5
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
I
D
- 流 电流 - 一个
1
1
10
10
100
V
DS
= 10 v
搏动
T
ch
=
−
25
˚C
25 ˚c
75 ˚c
125 ˚c
0.01
0.1
0.01
0.1
搏动
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
08
0.1
10
16
0.3
0.2
0.4
0.5
0
20
246
1214
18
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
D
= 10 一个
5 一个
2 一个
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
1.2
0.8
0.6
0.2
10
1000.1
0
1
搏动
V
GS
= 10 v
0.4
1.0
1.4
V
GS
= 30 v
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