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手机版
资料编号:908182
资料名称:
2SK3125
文件大小: 226K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3125
2002-08-23
4
R
ds (在)
Tc
I
DR
V
DS
动态 输入/输出 特性
P
D
Tc
情况 温度 tc (°c)
流-源 电压
V
DS
(v)
总的 门 承担 q
g
(nc)
情况 温度 tc (°c)
流 反转 电流
I
DR
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
)
流-源 电压
V
DS
(v)
门 门槛 电压
V
th
(v)
流 电源 消耗
P
D
(w)
门 门槛 电压
V
GS
(v)
V
th
– tc
情况 温度 tc (°c)
0
80
40 0
40
80 120 160
1
2
3
5
4
一般 源
V
DS
10 v
I
D
1 毫安
脉冲波 测试
6
0
0
20
40
80
200
一般 源
I
D
70 一个
Tc
25°C
脉冲波 测试
120
10
30
40
V
DD
24 v
V
DS
V
GS
50
160
0
10
20
5
15
25
12
0
50
150
100
200
0 40
120
200
80 160
80
40 0
40
80 120 160
0
4
8
12
16
20
一般 源
V
GS
10 v
脉冲波 测试
I
D
15, 30 一个
70
1000
一般 源
Tc
25°C
脉冲波 测试
V
GS
0 v,
1 v
3
5
1
10
10
100
1
0
0.4
1.2
0.8
1.6 2.0
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