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资料编号:908263
 
资料名称:2SK3561
 
文件大小: 227K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
 
 


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2SK3561
2005-01-26
3
Y
fs
– i
D
门-源 电压 V
GS
(v)
I
D
– v
GS
0
0 2 4 6 8
4
20
Tc
=
55°C
25
100
8
12
16
门-源 电压 V
GS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
10
流-源 电压 V
DS
(v)
V
DS
– v
GS
一般 源
Tc
=
25
脉冲波 测试
0
4
6
8
10
0
I
D
=
8 一个
4 8 12 16 20
2
4
2
流 电流 I
D
(一个)
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
0.1
10
100
0.1 1
100
10
1
16
12
8
4
0
20
0 20 40 50
V
GS
=
4 v
4.5
5
5.5
10
15 6
30
10
流-源 电压 V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
流-源 电压 V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
10
8
4
2
0
0 2 4 6 8 10
V
GS
=
4 v
4.25
4.5
4.75
5
5.25
6
10
15
6
R
ds (在)
– i
D
0.1
0.1 1 10 100
1
10
V
GS
=
10 v
15V
流 电流 I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
25
100
Tc
=
55°C
25
100
Tc
=
55°C
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
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