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资料编号:908263
资料名称:
2SK3561
文件大小: 227K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3561
2005-01-26
3
⎪
Y
fs
⎪
– i
D
门-源 电压
V
GS
(v)
I
D
– v
GS
0
0
2
4
6
8
4
20
Tc
=
−
55°C
25
100
8
12
16
门-源 电压
V
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
10
流-源 电压
V
DS
(v)
V
DS
– v
GS
一般 源
Tc
=
25
℃
脉冲波 测试
0
4
6
8
10
0
I
D
=
8 一个
4
8
12
16
20
2
4
2
流 电流
I
D
(一个)
向前 转移 admittance
⎪
Y
fs
⎪
(s)
0.1
10
100
0.1 1
100
10
1
16
12
8
4
0
20
0 20 40 50
V
GS
=
4 v
4.5
5
5.5
10
、
15
6
30
10
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
10
8
4
2
0
0 2 4 6 8 10
V
GS
=
4 v
4.25
4.5
4.75
5
5.25
6
10
、
15
6
R
ds (在)
– i
D
0.1
0.1
1
10
100
1
10
V
GS
=
10 v
、
15V
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
25
100
Tc
=
−
55°C
25
100
Tc
=
−
55°C
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
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