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资料编号:908264
资料名称:
2SK3562
文件大小: 232K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3562
2004-07-01
3
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
8
6
4
2
0
10
0 10 20
50
V
GS
=
4 v
4.6
4.8
10,15
5
5.2
30 40
4.4
4.2
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
流 电流
I
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
流 电流
I
D
(一个)
⎪
Y
fs
⎪
– i
D
向前 转移 admittance
⎪
Y
fs
⎪
(s)
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
5
4
2
1
0
0 2 4 6 8
V
GS
=
4 v
4.2
4.4
4.6
5
6
4.8
15
10
3
10
一般
源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
门-源 电压
V
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压
V
DS
(v)
门-源 电压
V
GS
(v)
V
DS
– v
GS
0
4
6
8
10
0
I
D
=
6 一个
4
8
12
16
20
1.5
3
2
一般 源
Tc
=
25
℃
脉冲波 测试
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
0.1
0.1
1
10
1
10
V
GS
=
10 v
、
15V
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
0
0
2
4
6
8
10
2
10
Tc
=
−
55°C
25
100
4
6
8
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
10
0.1
10
100
0.1 1
25
100
Tc
=
−
55°C
1
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