1/9july 2001
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高 速: t
PD
= 5ns (典型值.) 在 v
CC
= 5v
■
低 电源 消耗:
I
CC
= 4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
兼容 和 ttl 输出
V
IH
= 2v (最小值.), v
IL
= 0.8v (最大值.)
■
50
Ω
传递 线条 驱动
能力
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
| = i
OL
= 24ma (最小值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
■
运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 4.5v 至 5.5v
■
管脚 和 函数 兼容 和
74 序列 125
■
改进 获得-向上 免除
描述
这 74act125 是 一个 先进的 高-速 cmos
四方形 总线 缓存区 fabricated 和 sub-micron
硅 门 和 翻倍-layer metal 线路 c
2
MOS
技术.
这个 设备 需要 这 3-状态 控制 输入 g
至
是 设置 高 至 放置 这 输出 在 高 阻抗
状态.
这 设备 是 设计 至 接口 直接地 高
速 cmos 系统 和 ttl, nmos 和
cmos 输出 电压 水平.
所有 输入 和 输出 是 配备 和
保护 电路 相反 静态的 释放, 给
它们 2kv 静电释放 免除 和 瞬时 excess
电压.
74ACT125
四方形 总线 缓存区 (3-状态)
管脚 连接 和 iec 逻辑 symbols
顺序 代号
包装 TUBE t &放大; r
插件 74ACT125B
SOP 74ACT125M 74ACT125MTR
TSSOP 74ACT125TTR
TSSOPDIP SOP