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1V
在
相似物 输入. 看 图示 7.
2 AGND1 相似物 地面. 使用 内部 作 地面 涉及 要点.
3 REF 涉及 输入/输出. 2.2
µ
f tantalum 电容 至 地面.
4 CAP 涉及 缓存区 电容. 2.2
µ
f tantalum 电容 至 地面.
5 AGND2 相似物 地面.
6 d15 (msb) O 数据 位 15. 大多数 重大的 位 (msb) 的 转换 结果. hi-z 状态 当 cs 是 high, 或者 当 r/c 是 low.
7 D14 O 数据 位 14. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
8 D13 O 数据 位 13. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
9 D12 O 数据 位 12. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
10 D11 O 数据 位 11. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
11 D10 O 数据 位 10. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
12 D9 O 数据 位 9. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
13 D8 O 数据 位 8. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
14 DGND 数字的 地面.
15 D7 O 数据 位 7. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
16 D6 O 数据 位 6. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
17 D5 O 数据 位 5. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
18 D4 O 数据 位 4. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
19 D3 O 数据 位 3. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
20 D2 O 数据 位 2. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
21 D1 O 数据 位 1. hi-z 状态 当 cs 是 高, 或者 当 r/c 是 low.
22 d0 (lsb) O 数据 位 0. lease 重大的 位 (lsb) 的 转换 结果. hi-z 状态 当 cs 是 high, 或者 当 r/c 是 low.
23 字节 I 选择 8 大多数 重大的 位 (低) 或者 8 least 重大的 位 (高).
24 r/c I 和 cs 低 和 busy 高, 一个 下落 边缘 在 r/c initiates 一个 新 转换. 和 cs 低, 一个 rising 边缘 在 r/c
使能 这 并行的 输出.
25 CS I 内部 或者’d 和 r/c. 如果 r/c 低, 一个 下落 边缘 在 cs initiates 一个 新 conversion.
26 BUSY O 在 这 开始 的 一个 转换, busy 变得 低 和 stays 低 直到 这 转换 是 完成 和 这 数字的 输出
有 被 updated.
27 V
ANA
相似物 供应 输入. nominally +5v. 分离 至 地面 和 0.1
µ
f 陶瓷的 和 10
µ
f tantalum 电容.
28 V
DIG
数字的 供应 输入. nominally +5v. 连接 直接地 至 管脚 27. 必须 是
≤
V
ANA
.
数字的
管脚 # 名字 i/o 描述
表格 i. 管脚 assignments.
管脚 配置
V
DIG
V
ANA
BUSY
CS
r/c
BYTE
d0 (lsb)
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
V
在
AGND1
REF
CAP
AGND2
d15 (msb)
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
DGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
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